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本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件，包括：基底；第二掺杂类型的第二外延层；第一掺杂类型的沟道区，位于所述第二外延层内；第二掺杂类型的栅极，位于所述第二外延层内且位于所述沟道区之上，栅极和沟道区形成PN结；栅极绝缘层，所述栅极绝缘...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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