【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太赫兹波导耦合器，更具体的说是涉及一种顶部耦合器。
技术介绍
1、太赫兹行波管放大器因其具有高功率，宽频带，长使用寿命等众多优点，在通信，国防，安检，探测等一系列军用与民用的电磁领域都有着广泛的应用。行波管作为一种传统的真空电子器件，其主要工作部位由电子枪，聚焦系统，注波互作用慢波结构，输入输出耦合装置以及收集极组成的。电子枪，聚焦系统和收集极共同组成了电子光学系统，而注波互作用慢波结构和输入输出耦合装置组成了行波管的高频系统。整个高频系统将会放置在聚焦磁场中来实现信号放大的功能。
2、在行波管的整体工作中，被放大信号的输入与放大信号的输出是整个器件需要重点关注的问题之一。目前常用的信号输入输出耦合结构主要是有e面结构和h面结构两种类型。
3、对于现有的输入输出耦合装置，e面结构通常是先将聚焦磁块打孔，然后以长耦合波导的方式将信号从聚焦磁场中穿出；而h面结构主要包括如下两种方式：一种是使用弯曲的顶部耦合器与慢波结构的顶部相连后，再将信号导出；另一种是直接将耦合孔开在慢波结构的侧面，再通过标准耦合直波...
【技术保护点】
1.一种顶部耦合器，其特征在于，包括：互作用层和耦合波导层，所述互作用层包括互作用上层(1)和互作用下层(4)，在所述互作用上层(1)的金属栅结构(2)的两端开设输入输出耦合孔(3)；
2.根据权利要求1所述的顶部耦合器，其特征在于，所述互作用上层(1)和所述互作用下层(4)构成交错双栅慢波结构。
3.根据权利要求2所述的顶部耦合器，其特征在于，还包括：通过数控车铣进行平面结构的加工得到互作用上层(1)和互作用下层(4)。
4.根据权利要求1所述的顶部耦合器，其特征在于，所述耦合波导层(5)开设凹槽(6)包括：在所述耦合波导层(5)...
【技术特征摘要】
1.一种顶部耦合器，其特征在于，包括：互作用层和耦合波导层，所述互作用层包括互作用上层(1)和互作用下层(4)，在所述互作用上层(1)的金属栅结构(2)的两端开设输入输出耦合孔(3)；
2.根据权利要求1所述的顶部耦合器，其特征在于，所述互作用上层(1)和所述互作用下层(4)构成交错双栅慢波结构。
3.根据权利要求2所述的顶部耦合器，其特征在于，还包括：通过数控车铣进行平面结构的加工得到互作用上层(1)和互作用下层(4)。
4.根据权利要求1所述的顶部耦合器，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：阮存军，王文博，王鹏鹏，赵可东，赵亚琦，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：
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