【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及探针制造领域,具体涉及一种线性探针及其制造方法。
技术介绍
1、通常情况对于直径30微米以下的线材,材料供应商只能提供圈料,即材料经过拉拔工艺后成卷,为了加工成满足使用条件的线性探针,圈料必须进行调直,切割。对于线径低于30um的丝材,使用传统的矫正工艺矫正难度较大。一方面,线材直径太小所能承受的力有限,同时材料本身延伸率低,使用牵引拉伸矫正,矫正过程中材料断裂率较高;另一方面,材料硬度较低,在经过矫正导向机构时,容易刮蹭圈料的表面,而被刮蹭的部位则会成为后续使用中的缺陷。不仅如此,传统工艺在针长的误差上难以控制,通常在30微米左右,无法满足现在所需10微米的切割误差;而且传统的机器切割断面有呈剪切状,有毛刺,断面平整度很差。目前有相关厂商可提供完整的调直切割设备,但是其设备昂贵,对于线径不同丝材需要更换模具,大幅度地提高了生产成本,完全不适合小批量的多元化的探针生产。
2、另外,对于在30um左右的线针上做出针尖传统方法采用机械研磨。该方法涉及到探针自动装载模块,探针固定模块,探针旋转研磨模块。这些设备较为昂
...【技术保护点】
1.一种线性探针制造方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述毛细管的内径与所述探针基材的外径之间的范围差值在10~25μm。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述探针基材和毛细管一起放入真空退火炉中,在真空度至少达到5*10-3Pa的条件下350-400℃真空退火1.5-2小时。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,UV保护膜的厚度不小于100μm。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,激光切割的参数为:激光波长350-370nm,激光脉冲宽度小于350um,激光频
...【技术特征摘要】
1.一种线性探针制造方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述毛细管的内径与所述探针基材的外径之间的范围差值在10~25μm。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述探针基材和毛细管一起放入真空退火炉中,在真空度至少达到5*10-3pa的条件下350-400℃真空退火1.5-2小时。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,uv保护膜的厚度不小于100μm。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:陶克文,韩洋洋,罗雄科,
申请(专利权)人:上海泽丰半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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