一种MEMS微加热器及其制备方法技术

本申请公开了一种MEMS微加热器及其制备方法，MEMS微加热器包括衬底硅层、氧化层、上硅层和加热结构，加热结构设置在上硅层上，加热结构包括绕线段和与绕线段相连的电极结构，加热结构采用空间填充分形曲线进行绕线，形成具有空间填充分形曲线的绕线段，采用空间填充分形曲线进行绕线能够提高加热结构的加热性能，从而提高MEMS微加热器的整体加热性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体光电，特别涉及一种mems微加热器及其制备方法。

技术介绍

1、基于微电子机械系统(microelectromechanical systems，mems)的微型加热器具有体积小、响应速度快、功率低、与半导体工艺兼容等方面的优势，在热疗法、药物输送、液体雾化、气体传感、压力传感、湿度传感、流量测量、红外光源和其他mems应用等具有巨大的潜力。mems微加热器通常需要具有足够高的温度和均匀的温度分布，目前mems微加热器常见的加热丝绕线方式通常为蛇形和双螺旋形，但蛇形和双螺旋形的mems微加热器的温度比较低，满足不了现有的需求。

技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种能够提高加热性能的mems微加热器。

2、本申请还提出了用于制备上述mems微加热器的制备方法。

3、根据本申请的第一方面实施例的一种mems微加热器，包括

4、衬底硅层；

5、氧化层，所述氧化层设置在所述衬底硅层上；

6、上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS微加热器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种MEMS微加热器，其特征在于，所述加热结构采用的空间填充分形曲线为希尔伯特-三阶曲线。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS微加热器，其特征在于，所述加热结构采用的空间填充分形曲线为摩尔-三阶曲线。

4.根据权利要求1所述的一种MEMS微加热器，其特征在于，所述上硅层和所述加热结构上设置有保护层。

5.根据权利要求4所述的一种MEMS微加热器，其特征在于，所述保护层设置有供所述电极结构通过的开口。

6.根据权利要求1所述的一种MEMS微加热器，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种mems微加热器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种mems微加热器，其特征在于，所述加热结构采用的空间填充分形曲线为希尔伯特-三阶曲线。

3.根据权利要求1所述的一种mems微加热器，其特征在于，所述加热结构采用的空间填充分形曲线为摩尔-三阶曲线。

4.根据权利要求1所述的一种mems微加热器，其特征在于，所述上硅层和所述加热结构上设置有保护层。

5.根据权利要求4所述的一种mems微加热器，其特征在于，所述保护层设置有供所述电极结构通过的开口。

6.根据权利要求1所述的一种mems微加热器，其特征在于，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：方荣朋，林佑昇，郑汉武，郑林，
申请(专利权)人：深圳市穗晶半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：