直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法技术

本发明专利技术属于纳米材料制备技术领域，具体的涉及一种直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法。所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，首先将纳米线封装在微乳液形成的球形胶体内，并向微乳液施加直流电场，通过对电极形状的图案化设计，改变反应环境中的电场线方向，控制球形胶体及其内部纳米线的受力情况，进而调整纳米线的排列形式，通过蒸发有机溶剂，使得纳米线在基底有序堆积，最终得到图案化纳米线阵列。本发明专利技术所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，操作简单、成本低廉，避免了纳米线在基底缓慢生长的环节，并且减少了对反应环境的控制难度，适用于纳米线阵列的大规模量产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料制备，具体的涉及一种直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法。

技术介绍

1、纳米粒子的调控组装是纳米科技发展的重要组成部分，是探索纳米材料性能及其应用的基础。诺贝尔奖获得者feynman曾经预言：“如果我们对物体微小规模上的排列加以某种控制，就能使物体得到大量异乎寻常的特性，材料的性能会产生丰富的变化”。而相比控制纳米材料的尺寸、种类、形貌等方面，控制其空间构型(包括组装基元的空间排列方式及组装体的结构参数等)往往能更有效地调节宏观性能。

2、有关图案化纳米线阵列的制备方法，前期已进行了大量研究并且申请了相关专利。大致可分为两大类，一是利用催化剂或晶种诱导的方法，使纳米线能够选择性地生长在催化剂与晶种存在的地方，从而形成图案化的纳米线阵列，如薛方红等以多孔阳极氧化铝为模板，采用化学沉积法制备超晶格纳米线阵列，如“一种制备碲-碲化铅纳米晶组装超晶格纳米线阵列的方法(cn201410000512.8)”；许晓斌等通过掩模法，对晶种层进行图案化蚀刻，然后在水热条件下进行晶体生长，最终得到图案化的纳米线阵列，如“一种制备图案化氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，其特征在于：由以下步骤组成：

2.根据权利要求1所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤(1)中图案化ITO玻璃的加工过程，由以下步骤组成：

3.根据权利要求1所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤(2)中所述微乳液，以质量百分数计，由以下原料组成：纳米线1-3％、水80-85％、有机溶剂5-15％、表面活性剂2-6％、助表面活性剂1-3％。

4.根据权利要求1所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤(2)中所述纳米线为TiO2纳米线、金...

【技术特征摘要】

1.一种直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，其特征在于：由以下步骤组成：

2.根据权利要求1所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤(1)中图案化ito玻璃的加工过程，由以下步骤组成：

3.根据权利要求1所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤(2)中所述微乳液，以质量百分数计，由以下原料组成：纳米线1-3％、水80-85％、有机溶剂5-15％、表面活性剂2-6％、助表面活性剂1-3％。

4.根据权利要求1所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤(2)中所述纳米线为tio2纳米线、金纳米线、碳纳米线、硅纳米线、银纳米线或铜纳米线中的一种。

5.根据权利要求1所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤(2)中所述的有机溶剂为环己烷、甲苯或含7-12个碳原子的正构烷烃中的一种或多种，其中，含7-12个碳原子的正构烷烃为正庚烷、正辛烷、正癸烷或正十二烷中的一种。

6.根据权利要求1所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤(2)中所述的表面活性剂为阴离子型表面活性剂或阳离子型表面活性剂中的一种；阴离子型表面活性剂为十二烷基磺酸钠、十二烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：白阳，徐梦旭，曹延华，高玉娟，闫平科，王冉，
申请(专利权)人：山东理工大学，
类型：发明
国别省市：