反熔丝器件及其制造方法技术

一种反熔丝器件具有在衬底中的第一接触结构和第二接触结构。该第一接触结构具有第一接触侧，该第一接触侧与第二接触侧邻接并形成具有锐角的第一接触角。第二接触结构与第一接触结构间隔开并且不与第一接触结构电连接。反熔丝器件还包括在衬底中并与第一接触结构相邻的第一虚设结构。第一虚设结构具有第一虚设侧，该第一虚设侧最靠近第一接触结构的第一接触侧并与第一接触结构的第一接触侧间隔开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及反熔丝器件，并且更特别地涉及反熔丝器件及制造反熔丝器件的方法。

技术介绍

1、熔丝(fuse)和反熔丝(antifuse)通常用于电子电路中，以选择性地启用或禁用电路的某些特征或部分。熔丝被设计为永久断开导电路径，例如，当通过该路径的电流超过预定极限时，从而将电信号重新路由通过电路的另一预期部分。反熔丝是与熔丝相比以相反的方式起作用的电子器件。反熔丝被设计为创建导电路径，例如，当跨反熔丝的电压超过一定水平时。在半导体器件中，反熔丝可用于对选定的集成电路进行永久编程。

2、随着半导体器件的尺寸不断缩小，反熔丝的加工变得越来越具有挑战性，因为特征之间的间距变得越来越小，也越来越难以形成。因此，需要改进的反熔丝器件和制造这种反熔丝器件的方法。

技术实现思路

1、根据本专利技术的实施例，一种反熔丝器件包括在衬底中的第一接触结构，所述第一接触结构具有第一接触侧(side)和与所述第一接触侧邻接的第二接触侧，其中，所述第一接触侧和所述第二接触侧形成具有锐角的第一接触角(corner)。所述反本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反熔丝器件包括：

2.根据权利要求1所述的反熔丝器件，其中，所述第一虚设侧的至少一部分与所述第一接触结构的所述第一接触侧直接相邻。

3.根据权利要求1所述的反熔丝器件，还包括与所述第一接触结构相邻并在所述衬底中的第二虚设结构，所述第二虚设结构具有第二虚设侧，所述第二虚设侧最靠近所述第一接触结构的所述第二接触侧并与所述第一接触结构的所述第二接触侧间隔开。

4.根据权利要求3所述的反熔丝器件，其中，所述第二虚设侧的至少一部分与所述第一接触结构的所述第二接触侧直接相邻。

5.根据权利要求2所述的反熔丝器件，其中，所述第一虚设侧的所述部分与...

【技术特征摘要】

1.一种反熔丝器件包括：

2.根据权利要求1所述的反熔丝器件，其中，所述第一虚设侧的至少一部分与所述第一接触结构的所述第一接触侧直接相邻。

3.根据权利要求1所述的反熔丝器件，还包括与所述第一接触结构相邻并在所述衬底中的第二虚设结构，所述第二虚设结构具有第二虚设侧，所述第二虚设侧最靠近所述第一接触结构的所述第二接触侧并与所述第一接触结构的所述第二接触侧间隔开。

4.根据权利要求3所述的反熔丝器件，其中，所述第二虚设侧的至少一部分与所述第一接触结构的所述第二接触侧直接相邻。

5.根据权利要求2所述的反熔丝器件，其中，所述第一虚设侧的所述部分与所述第一接触结构的所述第一接触侧间隔大于最小设计规则间距的距离。

6.根据权利要求1所述的反熔丝器件，其中，所述第二接触结构还包括最靠近所述第一虚设结构并与所述第一虚设结构间隔开的第三接触侧，并且所述第一虚设结构还包括最靠近所述第三接触侧并与所述第三接触侧间隔开的第三虚设侧，其中，所述第三虚设侧的至少一部分与所述第三接触侧直接相邻。

7.根据权利要求1所述的反熔丝器件，其中，所述第二接触结构还包括最靠近所述第一虚设侧并与所述第一虚设侧间隔开的第三接触侧，其中，所述第一虚设侧的至少一部分与所述第二接触结构的所述第三接触侧直接相邻。

8.根据权利要求1所述的反熔丝器件，其中，与所述第一接触结构的剩余部分相比，所述第一接触角最靠近所述第二接触结构。

9.根据权利要求1所述的反熔丝器件，其中，所述衬底具有顶表面，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·H·李，陈元文，孙剑勋，M·A·貌，H·巴兰，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：