一种空腔型体声波谐振器的制备方法技术

本申请公开了一种空腔型体声波谐振器的制备方法，该空腔型体声波谐振器包括第一衬底、谐振器单元和第二衬底。其中该空腔型体声波谐振器的制备方法包括以下步骤：在第一衬底的上表面形成谐振器单元；对第一衬底的下表面开挖空槽，并使得空槽贯穿至第一衬底的上表面；将第二衬底与第一衬底的下表面进行键合，空槽构成空腔。本申请在第一衬底的上表面形成谐振器单元后再开设空槽，并且通过第一衬底与第二衬底的键合在空槽处形成空腔，不需要先生长牺牲层，空腔的开设尺寸也能够更加精准，避免发生因牺牲层释放而导致的压电层等功能层的薄膜质量降低以及器件的结构受损，进而使得器件的机械稳定性和电学性能下降的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造领域，特别涉及一种空腔型体声波谐振器的制备方法。

技术介绍

1、无线移动通信的快速发展导致了对射频(rf)设备的性能提出了更高的要求。滤波器作为射频前端的一个重要元件，其具有较大的带宽、较低的插入损耗以及体积小的优点。其中薄膜体声波滤波器由于其压电薄膜材料具有较高的声速、良好的温度稳定性，成为现今主流的滤波器。fbar(film bulk acoustic resonator)是薄膜体声波谐振器一种重要结构，其具有谐振频率高，q值高，体积小易于集成等优点。其主要是通过建立悬浮的薄膜(thin film)和腔体(cavity)，使压电薄膜悬于空腔之上，将谐振信号与能量束缚在空腔范围内，实现声波的传递和选择。fbar的构造形式主要有背刻蚀型和空腔型两种。背刻蚀型fbar需要从衬底背面通过刻蚀形成空气界面，但是由于刻蚀掉了基底的大部分硅，所以使得器件的机械稳定性较差。而相比而言空腔型fbar则更加具有优势。

2、对于空腔型fbar，目前主要包括上凸型拱形空腔和凹槽型空腔两种制备方式。上凸型拱形空腔制备方式指通过先沉积牺牲层再利用湿本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述底电极(210)的形成方法包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：形成所述第一导电材料层的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积和磁控溅射方法。

4.根据权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述压电层(220)的形成方法包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：刻蚀所述压电材料层的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。

<...

【技术特征摘要】

1.一种空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述底电极(210)的形成方法包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：形成所述第一导电材料层的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积和磁控溅射方法。

4.根据权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述压电层(220)的形成方法包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：刻蚀所述压电材料层的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述顶电极(230)的形成方法包括以下步骤：

7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，李陈阳，欧阳佩东，胡晗，罗添友，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：