A plasma processing method, in situ UV chamber comprises: a semiconductor substrate in a plasma processing chamber; injecting plasma generated substances into the plasma processing chamber; injected into the plasma processing chamber gas stimulated to produce ultraviolet radiation; open the plasma excitation source, excitation generated by the plasma the material formed by the plasma plasma, plasma treatment on the semiconductor substrate; the gas can produce ultraviolet radiation induced by plasma excitation, produce ultraviolet light; ultraviolet radiation from the surface of a semiconductor substrate. The invention also provides a method for forming a stress silicon nitride film. The ultraviolet treatment of the method can be carried out in situ with the plasma treatment process so as to simplify the process.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体集成电路制造工艺中在等离子体处理腔室中原位紫外线处理(Ultraviolet Cure, UV cure)方法及应力氮化硅膜的形成方法。
技术介绍
在半导体集成电路制造工艺中常用紫外线对膜层进行处理。例如， 采用紫外线照射对化学气相沉积形成的氮化硅膜层进行应力调整、低介 电常数材料的性能改善或干法刻蚀后的膜层的损伤修复等。在公开号为CN 101088150A的中国专利申请文件中，公开了 一种通过 紫外线处理工艺形成应力氮化硅的方法，形成氮化硅膜层之后，将具有 氮化硅膜层的半导体基底32置于如图1所示的处理装置200的基底支撑架 104上，该处理装置200的紫外线光源204发出紫外线射线，对所述的氮化 硅膜层进行辐射，形成应力氮化硅膜层。所述的方法中，通过等离子体辅助化学气相沉积在沉积腔室中形成 氮化硅膜层，然后再在紫外线处理设备中对形成的氮化硅膜层执行紫外 线处理，形成应力氮化硅；也即等离子体辅助化学气相沉积工艺与紫外 线处理工艺在不同的设备中分别执行；在现有的工艺中，还存在其它的 同时需要等离子体处理工艺与紫...
【技术保护点】
一种等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，其特征在于，包括： 将半导体基底置于等离子体处理腔室中； 向所述等离子体处理腔室中注入产生等离子体的物质； 向所述等离子体处理腔室中注入能受激产生紫外线的气体； 激励所述产生 等离子体的物质形成等离子体，利用所述等离子体对所述半导体基底进行等离子体处理； 所述能够受激产生紫外线的气体受所述等离子体激发，产生紫外线； 产生的紫外线辐射半导体基底表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴汉明，王国华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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