一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构制造技术

本技术提供一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构，包括：衬底；外延层，所述外延层设置于所述衬底的顶部；Pwell，所述Pwell设置于所述外延层的顶部；通孔，所述通孔开设于所述衬底的顶部；第二半导体，所述第二半导体设置于所述通孔的一侧；第一半导体，所述第一半导体设置于所述第二半导体的一侧；非掺杂层，所述非掺杂层设置于所述第一半导体的一侧。本技术提供的一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构，通过使用VDMOS，从而实现小面积与更高的芯片耐压，虽然漏引出孔的存在增加了部分的面积，但相较而言仍可实现芯片面积的减小，并且相较于漏极下引出的方式，本方案不需要进行定制化的特殊封装，降低了功率芯片的设计复杂度和工艺难度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片，尤其涉及一种应用于bcd的vdmos漏极上引出结构。

技术介绍

1、当前主流的bcd工艺中，集成大功率器件主要是ldmos或ligbt。

2、与vdmos相比，要达到相同的耐压和功率容量，ldmos会占用更多的芯片面积，要在较小的芯片面积内实现高耐压，ldmos的漂移区中必须用到resurf(reduced surfacefield，降低表面电场)结构，这会增加功率芯片的设计复杂度和工艺难度。

3、因此，有必要提供一种应用于bcd的vdmos漏极上引出结构解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本技术提供一种应用于bcd的vdmos漏极上引出结构，解决了增加了功率芯片的设计复杂度和工艺难度的问题。

2、为解决上述技术问题，本技术提供的一种应用于bcd的vdmos漏极上引出结构，包括：

3、衬底；

4、外延层，所述外延层设置于所述衬底的顶部；

5、pwell，所述pwell设置于所述外延层的顶部；

<p>6、通孔，所述通本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构，其特征在于，所述衬底为N+衬底，所述外延层为N-外延层。

3.根据权利要求1所述的一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构，其特征在于，所述通孔为漏极上引出通孔。

4.根据权利要求1所述的一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构，其特征在于，所述第二半导体为VDMOS。

5.根据权利要求1所述的一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构，其特征在于，所述第一半导体为CMOS+NPN+PNP。

...

【技术特征摘要】

1.一种应用于bcd的vdmos漏极上引出结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种应用于bcd的vdmos漏极上引出结构，其特征在于，所述衬底为n+衬底，所述外延层为n-外延层。

3.根据权利要求1所述的一种应用于bcd的vdmos漏极上引出结构，其特征在于，所述通孔为漏极上引出通孔。

4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建军，李家贵，王逸豪，曹臻，吴茜，
申请(专利权)人：陕西电子芯业时代科技有限公司，
类型：新型
国别省市：

全部详细技术资料下载 我是这个专利的主人