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本技术提供一种应用于BCD的VDMOS漏极上引出结构，包括：衬底；外延层，所述外延层设置于所述衬底的顶部；Pwell，所述Pwell设置于所述外延层的顶部；通孔，所述通孔开设于所述衬底的顶部；第二半导体，所述第二半导体设置于所述通孔的一侧；...
该专利属于陕西电子芯业时代科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西电子芯业时代科技有限公司授权不得商用。

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