一种静磁场屏蔽封装结构及应用制造技术

本发明专利技术公开了一种静磁场屏蔽封装结构及应用，所述封装结构包括封装框架、芯片、磁屏蔽组件以及塑封体；所述磁屏蔽组件包括设置于封装框架上的底垫片、于所述底垫片的四周垂直向上延伸设置的侧壁，以及设置于所述侧壁上的顶垫片，所述顶垫片上设置有若干开孔；所述侧壁上还设置有贯穿所述侧壁的电极柱，所述电极柱包括柱体和设置于所述柱体两端用于引线键合的电极，所述电极位于所述侧壁的两侧。该静磁场屏蔽封装结构通过在侧壁上设置电极柱，电极柱作为一种电连接结构解决磁屏蔽组件内外部的电气连接问题，无需开供键合线通过的侧壁槽口，具有较佳的屏蔽效率，且该静磁场屏蔽封装结构可四面打线，适用于QFP封装领域的磁屏蔽封装。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装，具体涉及一种静磁场屏蔽封装结构及应用。

技术介绍

1、磁随机存储器(mram)利用磁矩的不同取向记录数据信息，在高速读写、写入次数、非易失性等性能上优于其他存储技术。mram的数据信息是由磁参考层和磁自由层的相对取向记录的。当两层方向相同时，元件处于低阻态(逻辑0)。两层方向相反时，元件处于高阻态(逻辑1)。磁自由层的稳定性较弱，因而可以多种方式改变其磁矩方向，从而实现数据的写入。

2、外部磁场会显著影响磁自由层的稳定性。磁自由层稳定性升高会导致写入电压的提高，从而降低元件的写入次数，或导致写入错误。磁自由层稳定性降低则会导致芯片存储数据的出错。因此对mram而言，外部磁场必须予以有效屏蔽。可以从多个维度进行外部磁场屏蔽，主要包括：1.器件层面；2.封装层面；3.应用层面。其中封装层面的屏蔽因其屏蔽效果好、方便客户使用、不需改动器件生产线等优点，最为受人关注。

3、现有常规的技术方案中，设置的磁屏蔽结构由于键合线需从侧壁通过，因此通常情况下不设置侧壁，或是在侧壁上开设较大的用于键合线通过的孔，从而会严重削弱磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静磁场屏蔽封装结构，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的静磁场屏蔽封装结构，其特征在于，所述侧壁上开设有与所述电极柱适配的容纳孔，所述电极柱通过粘合剂固定设置于所述容纳孔内。

3.根据权利要求1所述的静磁场屏蔽封装结构，其特征在于，所述电极柱的柱体内埋设有金属走线(243)，位于所述柱体两端的电极通过所述金属走线进行连通。

4.根据权利要求3所述的静磁场屏蔽封装结构，其特征在于，所述柱体为长方体。

5.根据权利要求4所述的静磁场屏蔽封装结构，其特征在于，所述电极柱的制造工艺包括多层印刷电路板工艺或硅半导体工艺。

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【技术特征摘要】

1.一种静磁场屏蔽封装结构，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的静磁场屏蔽封装结构，其特征在于，所述侧壁上开设有与所述电极柱适配的容纳孔，所述电极柱通过粘合剂固定设置于所述容纳孔内。

3.根据权利要求1所述的静磁场屏蔽封装结构，其特征在于，所述电极柱的柱体内埋设有金属走线(243)，位于所述柱体两端的电极通过所述金属走线进行连通。

4.根据权利要求3所述的静磁场屏蔽封装结构，其特征在于，所述柱体为长方体。

5.根据权利要求4所述的静磁场屏蔽封装结构，其特征在于，所述电极柱的制造工艺包括多层印刷电路板工艺或硅半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：程志渊，鲁鹏棋，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：