【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体地，涉及一种垂直型半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、碳化硅(silicon carbide，sic)材料是第三代宽禁带半导体，其禁带宽度3.2ev远大于传统硅材料1.1ev，临界击穿场强高于硅材料一个数量级，具有耐高温高压的优势，同时其饱和漂移速度快，同时具有双极晶体管和普通mos器件的优点，适合制造快速响应的高温高压功率半导体器件，如垂直导通双扩散的mosfet(vertical double-diffusedmosfet，vdmos)等半导体器件。
2、如图1为一种较为常见的vdmos器件，vdmos栅极和源极区位于器件表面，漏极位于器件背面，导通沟道在器件表面，导通路径位于器件内部，由栅极控制沟道开启和关断，以实现电流从漏极经过体内以及器件表面反型的沟道流向源极区。vdmos作为理想的功率器件在开关和线性器件中都有广泛的应用，例如电子开关、适配器、驱动带能源和工业控制等。vdoms器件设计需保证器件的开启电压和导通电阻的平衡，一般在应用场景为3v以上的开启电压下需保证器件的导通电阻越低越好，...
【技术保护点】
1.一种垂直型半导体器件，其特征在于，至少包括：沿垂直方向堆叠的漏极区和衬底层，以及设置于所述衬底层远离所述漏极区一侧的栅极区和源极区；
2.根据权利要求1所述的垂直型半导体器件，其特征在于，所述耦合电容结构至少包括：
3.根据权利要求2所述的垂直型半导体器件，其特征在于，所述肖特基金属材料为镍、金、钯、钛、钴中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的垂直型半导体器件，其特征在于，所述介质层的厚度为1～1000纳米。
5.根据权利要求2所述的垂直型半导体器件，其特征在于，所述沟道区包括第一沟道区和第二沟道区；其中，
...【技术特征摘要】
1.一种垂直型半导体器件，其特征在于，至少包括：沿垂直方向堆叠的漏极区和衬底层，以及设置于所述衬底层远离所述漏极区一侧的栅极区和源极区；
2.根据权利要求1所述的垂直型半导体器件，其特征在于，所述耦合电容结构至少包括：
3.根据权利要求2所述的垂直型半导体器件，其特征在于，所述肖特基金属材料为镍、金、钯、钛、钴中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的垂直型半导体器件，其特征在于，所述介质层的厚度为1～1000纳米。
5.根据权利要求2所述的垂直型半导体器件，其特征在于，所述沟道区包括第一沟道区和第二沟道区；其中，
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓宇，岳丹诚，王畅畅，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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