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本申请实施例提供了一种垂直型半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请实施例提供的垂直型半导体器件，至少包括：沿垂直方向堆叠的漏极区和衬底层，以及设置于所述衬底层远离所述漏极区一侧的栅极区和源极区；所述栅极区包括：顶栅、底栅和沟道区...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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