【技术实现步骤摘要】
本公开一般而言涉及晶体管领域，并且更具体地涉及也称为hemt的高电子迁移率晶体管领域。
技术介绍
1、hemt晶体管依赖于异质结，该异质结具有在其表面形成的二维电子气(也称为2deg)。
2、存在改进hemt晶体管及其制造方法的需要。
技术实现思路
1、为了实现这一点，实施例提供了一种hemt晶体管，包括：
2、-第一半导体层；
3、-布置在第一半导体层的第一表面上的栅极；
4、-在栅极的侧面上由第一材料制成的第一钝化层，第一钝化层进一步在第一半导体层的所述表面的第一部分上方延伸；
5、-在第一半导体层的所述表面的与第一钝化层相邻的第二部分上由与第一材料不同的第二材料制成的第二钝化层。
6、根据实施例，第一半导体层基于氮化镓。
7、根据实施例，第一半导体层由氮化铝镓制成。
8、根据实施例，第一钝化层由氧化铝制成。
9、根据实施例，第二钝化层由氮化铝制成。
10、根据实施例...
【技术保护点】
1.一种HEMT晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的HEMT晶体管，其中第一半导体层基于氮化镓。
3.根据权利要求2所述的HEMT晶体管，其中第一半导体层由氮化铝镓制成。
4.根据权利要求1所述的HEMT晶体管，其中第一钝化层由氧化铝制成。
5.根据权利要求1所述的HEMT晶体管，其中第二钝化层由氮化铝制成。
6.根据权利要求1所述的HEMT晶体管，包括与第一半导体层的与第一表面相对的第二表面接触的第二半导体层。
7.根据权利要求6所述的HEMT晶体管，其中第二半导体层由氮化镓制成。
<...【技术特征摘要】
1.一种hemt晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的hemt晶体管，其中第一半导体层基于氮化镓。
3.根据权利要求2所述的hemt晶体管，其中第一半导体层由氮化铝镓制成。
4.根据权利要求1所述的hemt晶体管，其中第一钝化层由氧化铝制成。
5.根据权利要求1所述的hemt晶体管，其中第二钝化层由氮化铝制成。
6.根据权利要求1所述的hemt晶体管，包括与第一半导体层的与第一表面相对的第二表面接触的第二半导体层。
7.根据权利要求6所述的hemt晶体管，其中第二半导体层由氮化镓制成。
8.根据权利要求1所述的hemt晶体管，包括分别布置在栅极两侧的源极接触金属化部和漏极接触金属化部。
9.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·康斯坦特，F·尤科纳洛，C·特林加利，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
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