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本公开涉及HEMT晶体管，包括：第一半导体层；布置在第一半导体层的第一表面上的栅极；在栅极的侧面上由第一材料制成的第一钝化层，第一钝化层进一步在第一半导体层的所述表面的第一部分上方延伸；以及在第一半导体层的所述表面的与第一钝化层相邻的第二部...
该专利属于意法半导体国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际公司授权不得商用。

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