适于检测相关光辐射的电流辅助光子解调器及其制造方法技术

适于检测相关光辐射的电流辅助光子解调器及其制造方法。本发明专利技术涉及一种电流辅助光子解调器，其包括基于锗产生的检测部分(10)，检测部分包含至少两个掺杂调制区域和至少一个掺杂收集区域，并由外围侧向部分(2)围绕，外围侧向部分在检测部分(10)中生成水平拉伸机械应力和竖向压缩机械应力。掺杂收集区域根据相对于掺杂调制区域的竖向布置来设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的领域在于适于检测近红外范围中的光辐射的电流辅助光子解调器(capd)的领域。本专利技术尤其在遥测、生物分析和工业检查(表面缺陷的非接触式检测)中得到应用。

技术介绍

1、电流辅助光子解调器是其中对漂移电场的分布进行调制的光电检测器。它们最初在van nieuwenhove等人题为“novel standard cmosdetector using majority currentfor guiding photo-generated electrons towards detecting junctions(使用多数电流将光生电子引导向检测结的新型标准cmos检测器)”的科学文章中进行了特别描述，参见proc.symp.ieee/leos benelux chapter，第229-232(2005)页。这种类型的光电子设备特别用于测量飞行时间(tof)的遥测。

2、这种解调器通常包括基于轻p掺杂半导体材料产生的检测部分，该检测部分在其面中的一个面上具有用于产生和调制漂移电流的两个p+掺杂区域，以及位于所述p+掺杂区域附近用于收集光电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适于检测相关光辐射的电流辅助光子解调器(1)，包括：

2.根据权利要求1所述的光子解调器(1)，其中每个下部掺杂区域(12)与所述主平面平行地朝向所述中心区域(Zc)和所述上部掺杂区域(11)延伸，并且具有远离所述中心区域(Zc)的远端(12d)和朝向所述中心区域(Zc)定向的近端(12p)。

3.根据权利要求1所述的光子解调器(1)，包括导电过孔(3)，所述导电过孔沿着所述第一面(F1)的竖向轴线延伸并且与所述下部掺杂区域(12)电接触。

4.根据权利要求3所述的光子解调器(1)，其中所述导电过孔(3)与所述外围侧向部分(2)不同；或者所述导...

【技术特征摘要】

1.一种适于检测相关光辐射的电流辅助光子解调器(1)，包括：

2.根据权利要求1所述的光子解调器(1)，其中每个下部掺杂区域(12)与所述主平面平行地朝向所述中心区域(zc)和所述上部掺杂区域(11)延伸，并且具有远离所述中心区域(zc)的远端(12d)和朝向所述中心区域(zc)定向的近端(12p)。

3.根据权利要求1所述的光子解调器(1)，包括导电过孔(3)，所述导电过孔沿着所述第一面(f1)的竖向轴线延伸并且与所述下部掺杂区域(12)电接触。

4.根据权利要求3所述的光子解调器(1)，其中所述导电过孔(3)与所述外围侧向部分(2)不同；或者所述导电过孔(3)是所述外围侧向部分(2)的相互不同的部分，所述外围侧向部分(2)则是由导电材料制成。

5.根据权利要求3所述的光子解调器(1)，其中接触所述上部掺杂区域(11)的电极与接触所述导电过孔(3)的电极相比更靠近所述中心区域(zc)。

6.根据权利要求1所述的光子解调器(1)，包括两个下部掺杂调制区域(12)并且包括单个上部掺杂收集区域(11)，所述单个上部掺杂收集区域(11)位于所述中心区域(zc)中并且在所述主平面中与所述下部掺杂调制区域(12)相距一定距离处。

7.根据权利要求1所述的光子解调器(1)，包括两个上部掺杂区域(11)，每个所述上部掺杂区域(11)定位成垂直于所述下部掺杂区域(12)中的一者。

8.根据权利要求1所述的光子解调器(1)，其中，对...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·爱丽安，H·卡亚，
申请(专利权)人：法国原子能源和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：