【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装，尤其涉及一种降压转化器封装结构。
技术介绍
1、随着半导体封装技术的发展，降压转化器（buck电路转化器）封装结构内包括两个相同类型的硅基金属-氧化物场效应晶体管或者两个相同类型的氮化镓基高电子迁移率晶体管。
2、但是上述降压转化器封装结构存在热阻较大的缺点。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种降压转化器封装结构，以降低降压转化器封装结构的热阻。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种降压转化器封装结构，包括：
3、第一导电层；
4、硅基金属-氧化物场效应晶体管，所述硅基金属-氧化物场效应晶体管包括第一衬底、第一外延层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一外延层位于所述第一衬底的一侧，所述第一栅极和所述第一源极位于所述第一外延层远离所述第一衬底的一侧，所述第一漏极位于所述第一衬底远离所述第一外延层的一侧；所述硅基金属-氧化物场效应晶体管位于所述第一导电层的一侧，所述第一漏极和所述第一导电层接触；
5、氮化...
【技术保护点】
1.一种降压转化器封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降压转化器封装结构，其特征在于，还包括第二导电层和第三导电层；
3.根据权利要求2所述的降压转化器封装结构，其特征在于，所述第二导电层内部设置有通孔，所述通孔内填充有磁性材料，所述通孔的深度等于所述第二导电层的厚度，所述通孔以及填充于内部的磁性材料作为所述功率电感。
4.根据权利要求3所述的降压转化器封装结构，其特征在于，所述磁性材料为低温共烧陶瓷。
5.根据权利要求3所述的降压转化器封装结构，其特征在于，所述通孔为多个，所述多个通孔在垂直于所述第三...
【技术特征摘要】
1.一种降压转化器封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降压转化器封装结构，其特征在于，还包括第二导电层和第三导电层；
3.根据权利要求2所述的降压转化器封装结构，其特征在于，所述第二导电层内部设置有通孔，所述通孔内填充有磁性材料，所述通孔的深度等于所述第二导电层的厚度，所述通孔以及填充于内部的磁性材料作为所述功率电感。
4.根据权利要求3所述的降压转化器封装结构，其特征在于，所述磁性材料为低温共烧陶瓷。
5.根据权利要求3所述的降压转化器封装结构，其特征在于，所述通孔为多个，所述多个通孔在垂直于所述第三导电层指向所述第一导电层的方向间隔排列。
6.根据权利要求2所述的降压转化器封装结构，其特征在于，所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层为同一导电膜层制备而成。
7.根据权利要求2所述的降压转化器封装结构，其特征在于，所述第一导电层...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈常，刘小明，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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