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本发明公开了一种降压转化器封装结构，包括：第一导电层；硅基金属‑氧化物场效应晶体管；硅基金属‑氧化物场效应晶体管的第一漏极和第一导电层接触；氮化镓基高电子迁移率晶体管和硅基金属‑氧化物场效应晶体管位于第一导电层的同一侧，第二衬底和第一导电层...
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