【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆研磨，具体涉及一种晶圆研磨垫。
技术介绍
1、晶圆广泛被应用在半导体集成电路中使用，被称为硅晶圆片，形状为圆形，其在表面集成电路制造好之后，需要在背面进行减薄操作，需要用到晶圆研磨机进行操作。在半导体器件的制备中，多种材料在半导体晶片上反复形成为具有层叠构造的膜状，为形成该层叠结构，使半导体晶片的表面变得平坦的技术变得重要。化学机械研磨(cmp)作为半导体晶片表面平坦化的手段，得到了广泛应用。在化学机械研磨过程中，研磨垫和晶圆载具均在旋转，晶圆载具即研磨头带动晶圆旋转，晶圆与研磨垫接触，两者在相互旋转的过程中摩擦，实现对晶圆的研磨。
2、在另一方面，随着晶圆设计图形不断精细化，cmp工艺在不断增加，其可以减小晶圆上成膜图形边缘处的高度差。因此，cmp工艺中的晶圆上成膜图形的均匀性变得更加重要。cmp工艺中晶圆上成膜图形的均匀性受设备结构影响、模式影响、以及全工艺影响。cmp工艺后由于所存在的氧化残渣、由钨或铜构成的互连结构不良,及cmp后续工序等问题会影响晶圆上成膜图形的均匀性,从而会出现接触不良，晶圆边缘处过...
【技术保护点】
1.一种晶圆研磨垫，其特征在于：包括垫体，所述垫体呈圆形，所述研磨垫开设有多个环形沟槽，所述环形沟槽同圆心设置，所述环形沟槽的圆心为垫体的圆心，圆心最外侧的所述环形沟槽背离圆心一侧设置有多个摩擦沟槽，所述摩擦沟槽的一端与圆心最外侧的环形沟槽连通，所述摩擦沟槽远离环形沟槽的一端贴近于垫体的外侧壁。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨垫，其特征在于：所述摩擦沟槽呈C形。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆研磨垫，其特征在于：所述摩擦沟槽的开口方向与研磨头的旋转方向相反。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨垫，其特征在于：所述垫体的直径...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨垫，其特征在于：包括垫体，所述垫体呈圆形，所述研磨垫开设有多个环形沟槽，所述环形沟槽同圆心设置，所述环形沟槽的圆心为垫体的圆心，圆心最外侧的所述环形沟槽背离圆心一侧设置有多个摩擦沟槽，所述摩擦沟槽的一端与圆心最外侧的环形沟槽连通，所述摩擦沟槽远离环形沟槽的一端贴近于垫体的外侧壁。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨垫，其特征在于：所述摩擦沟槽呈c形。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆研磨垫，其特征在于：所述摩擦沟槽的开口方向与研磨头的旋转方向相反。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨垫，其特征在于：所述垫体的直径为0.7-1.2...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨志远，徐乃康，刘辉，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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