一种抑制XBAR谐振器杂散响应的结构制造技术

本申请提供了一种抑制XBAR谐振器杂散响应的结构，其包括压电基底层以及置于所述压电基底层之上的IDT层；所述压电基底层包含：第一通孔、第二通孔、第三通孔以及第四通孔；所述IDT层包括：第一汇流条、第二汇流条、第一电极、第二电极；所述第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、第一汇流条、第二汇流条、第一电极以及第二电极在所述XBAR谐振器中为周期结构。其中由周期性排列的第一通孔、第二通孔、第三通孔与第四通孔共同构成了高阻抗区域，够将逸出的能量反射回谐振区域，从而减小横向模态的产生，在减小XBAR谐振器杂散响应的同时，其机电耦合系数也保持不变。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及体声波器件，更具体地说，涉及一种抑制xbar谐振器杂散响应的结构。

技术介绍

1、近几十年来，随着无线通讯应用市场的不断扩大，逐渐由2g、3g、4g发展至现在的5g及sub-6g通讯，这也对射频前端中的滤波器的频率、带宽、插损以及带外抑制提出了更高的要求。谐振器是组成滤波器的关键性元器件，为满足5g及sub-6g时代的高频、高带宽的需求，xbar谐振器应运而生。xbar谐振器是体声波器件中的一种，其激发方式为兰姆波激发，具有高机电耦合系数及高谐振频率，谐振器的机电耦合系数直接影响着滤波器的带宽，由xbar谐振器组成的滤波器具有大带宽、高频率的特点，能够很好地满足5g及sub-6g通讯对于高频、高带宽的需求。然而xbar谐振器工作时，出现了很多的杂散响应，这些杂散响应会导致谐振器的品质因数下降，滤波器的插损变差以及带内纹波的恶化，严重限制了xbar谐振器的发展。

技术实现思路

1、本专利技术旨在解决以上现有的技术问题，提出了一种抑制xbar谐振器杂散响应的结构，在此结构下的xbar器件，在实现对杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抑制XBAR谐振器杂散响应的结构，其特征在于，设计XBAR谐振器，所述XBAR谐振器包含压电基底层以及置于所述压电基底层之上的IDT层；所述压电基底层包含：第一通孔、第二通孔、第三通孔以及第四通孔；所述IDT层包括：第一汇流条、第二汇流条、第一电极、第二电极；所述第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、第一汇流条、第二汇流条、第一电极以及第二电极在所述XBAR谐振器中为周期性结构，其周期长度与所述XBAR谐振器的周期长度相同；所述XBAR谐振器的周期长度为λ。

2.根据权利要求1所述的一种抑制XBAR谐振器杂散响应的结构，其特征在于，所述压电基底层的材料包括128°Y...

【技术特征摘要】

1.一种抑制xbar谐振器杂散响应的结构，其特征在于，设计xbar谐振器，所述xbar谐振器包含压电基底层以及置于所述压电基底层之上的idt层；所述压电基底层包含：第一通孔、第二通孔、第三通孔以及第四通孔；所述idt层包括：第一汇流条、第二汇流条、第一电极、第二电极；所述第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、第一汇流条、第二汇流条、第一电极以及第二电极在所述xbar谐振器中为周期性结构，其周期长度与所述xbar谐振器的周期长度相同；所述xbar谐振器的周期长度为λ。

2.根据权利要求1所述的一种抑制xbar谐振器杂散响应的结构，其特征在于，所述压电基底层的材料包括128°y-x切铌酸锂。

3.根据权利要求1所述的一种抑制xbar谐振器杂散响应的结构，其特征在于，所述idt层的材料包括cu。

4.根据权利要求1所述的一种抑制xbar谐振器杂散响应的结构，其特征在于，所述第一汇流条与第一电极相连接，所述第二汇流条与第二电极相连接。

5.根据权利要求1所述的一种抑制xbar谐振器杂散响应的结构，其特征在于，所述第一通孔、第二通孔、第三通孔及第四通孔的形状为长方形，其中所述第一通孔与第二通孔平行设置，所述第三通孔与第四通孔平行设置；且所述第一通孔与第三通孔形状大小相同，所述第二通孔与第四通孔形状大小相同。

6.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子奇，陈威，
申请(专利权)人：晨宸辰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：