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本申请提供了一种抑制XBAR谐振器杂散响应的结构，其包括压电基底层以及置于所述压电基底层之上的IDT层；所述压电基底层包含：第一通孔、第二通孔、第三通孔以及第四通孔；所述IDT层包括：第一汇流条、第二汇流条、第一电极、第二电极；所述第一通孔...
该专利属于晨宸辰科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晨宸辰科技有限公司授权不得商用。

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