【技术实现步骤摘要】
本申请涉及金属氧化物半导体场效应晶体管的模型建立领域，尤其涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管的建模方法及装置。
技术介绍
1、金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor，mosfet)使用过程中，需要了解mosfet的工作参数。
2、现有技术中是通过查阅数据手册，在数据手册给出的图表中找到与工作条件比较接近的数据曲线，然后根据数据曲线估算对应的数据，但是数据手册中只呈现部分工作状态下的数值，往往不包括需要的工作条件下的数值，导致建模工作变得困难，从而无法得到合理及需要的器件的参数值。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管的建模方法及装置，可以能够快速的进行金属氧化物半导体场效应晶体管的模型的搭建，从而得到金属氧化物半导体场效应晶体管的参数信息。
2、本申请第一方面提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管的建模方法，包括：
3、根据预设的第一...
【技术保护点】
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的建模方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第一拟合公式提取漏极电流值，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设的第一拟合公式如下：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第二拟合公式提取非线性结电容值，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述体二极管由标准二极管和串联电阻组成，所述根据预设的第三公式提取体二极管参数，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预...
【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的建模方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第一拟合公式提取漏极电流值，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设的第一拟合公式如下：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第二拟合公式提取非线性结电容值，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述体二极管由标准二极管和串联电阻组...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱昆昆，李琦，
申请(专利权)人：经纬恒润天津研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。