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本申请实施例公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管的建模方法及装置。在该方法中,根据预设的第一拟合公式提取漏极电流值;根据预设的第二拟合公式提取非线性结电容值;根据预设的第三公式提取体二极管参数;提取杂散参数;根据漏极电流值、非线性结电容值...该专利属于经纬恒润(天津)研究开发有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过经纬恒润(天津)研究开发有限公司授权不得商用。
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