光源对准的确定方法和装置、电子设备和存储介质制造方法及图纸

技术编号:41685200 阅读:16 留言:0更新日期:2024-06-14 15:36
本申请提供了一种光源对准的确定方法和装置、电子设备和存储介质,其中,该方法包括:获取由全息成像生成的干涉图样或对掩膜进行调整后的目标掩膜;根据所述干涉图样或所述目标掩膜,得到照射在光栅之后所检测到的透过所述光栅的光照强度;根据所述光照强度生成对应的线条变化图,其中,所述线条变化图用于表征光学信号;根据所述线条变化图确定对准点,并将所述对准点对应的当前掩膜的第一位置信息和当前硅片的第二位置信息作为光源对准的约束条件。通过本申请,解决了相关技术中存在的引入额外对准系统导致的成本过高、系统较复杂且稳定性不足致使对准不精确的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及全息光刻领域,尤其涉及一种光源对准的确定方法和装置、电子设备和存储介质


技术介绍

1、激光全息光刻是一种很有潜力的光刻技术,它的基本原理是通过全息成像,照射经过特别设计的全息掩模,在硅片上得到想要的图形。在照射过程中,往往需要光源对准,在现有的全息光刻领域里,对准需要通过引入一套额外的对准系统来进行,但是引入一套额外的对准系统,往往意味着一套额外的光路和专门的对准光源,这带来了成本的上升和系统复杂性、不稳定性的增加。

2、因此,现有的相关技术中存在引入额外对准系统导致的成本过高、系统较复杂且稳定性不足致使对准不精确的问题。


技术实现思路

1、本申请提供了一种光源对准的确定方法和装置、电子设备和存储介质,以至少解决相关技术中存在引入额外对准系统导致的成本过高、系统较复杂且稳定性不足致使对准不精确的问题。

2、根据本申请实施例的一个方面,提供了一种光源对准的确定方法,该方法包括:

3、获取由全息成像生成的干涉图样或对掩膜进行调整后的目标掩膜;p>

4、根据所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光源对准的确定方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述干涉图样,得到照射在光栅之后所检测到的透过所述光栅的光照强度,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述光照强度生成对应的线条变化图,包括:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据目标掩膜,得到照射在光栅之后所检测到的透过所述光栅的光照强度,包括:

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据所述光照强度生成对应的线条变化图,包括:

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在所述透过所述光...

【技术特征摘要】

1.一种光源对准的确定方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述干涉图样,得到照射在光栅之后所检测到的透过所述光栅的光照强度,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述光照强度生成对应的线条变化图,包括:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据目标掩膜,得到照射在光栅之后所检测到的透过所述光栅的光照强度,包括:

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据所述光照强度生成对应的线条变化图,包括:

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢稳牛志元丛敏程智秦宏鹏王凯诚
申请(专利权)人:光科芯图北京科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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