【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、随着人们对电子产品需求的日益增加，对更高密度集成电路以及制造其的更高精度的工艺提出了更高要求。
2、光刻技术是一种精密的微细加工技术。常规光刻技术采用波长为的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂(光刻胶)为中间或图像记录媒介，实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶圆(主要指硅片)、或介质层上。
3、光刻技术按曝光源主要分为光学光刻。常见的光源包括紫外光源(uv)、深紫外光源(duv)、极紫外光源(euv)以及粒子束光刻。常见的粒子束光刻主要有x射线、电子束和离子束光刻等。
4、通常，在光学光刻中，uv只能实现一微米左右的图案分辨率。而duv、euv等虽然能实现更高的分辨率，但其价格昂贵。此外，在粒子束光刻中，电子束光刻、聚焦离子束光刻虽然也能一定程度上提高分别率，但需要耗时长、多次循环的书写制程，大大降低了工作效率。
5、本领域中需要一种低成本、高效率、高分辨率的形成半导体结构的方法。
技术实现思路
1、为了提供一...
【技术保护点】
1.一种用于形成半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行光刻材料涂覆和图案化光刻包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行光刻材料涂覆和图案化光刻包括：
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行光刻材料涂覆和图案化光刻包括：
5.如权利要求2-4中的任一项所述的方法，其特征在于，执行光刻材料涂覆和图案化光刻还包括：
6.如权利要求2-4中的任一项所述的方法，其特征在于，所述曝光图案由线条掩膜版提供。
7.如权利要求1所述的方法，其特征
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【技术特征摘要】
1.一种用于形成半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行光刻材料涂覆和图案化光刻包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行光刻材料涂覆和图案化光刻包括：
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行光刻材料涂覆和图案化光刻包括：
5.如权利要求2-4中的任一项所述的方法，其特征在于，执行光刻材料涂覆和图案化光刻还包括：
6.如权利要求2-4中的任一项所述的方法，其特征在于，所述曝光图案由线条掩膜版提供。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
9.如权利...
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