量子点在制备血管损伤检测试剂中的用途制造技术

本发明专利技术涉及医药诊断技术领域，具体涉及量子点在制备血管损伤检测试剂中 的用途。本发明专利技术公开了量子点在制备血管损伤检测试剂中的用途。

Use of quantum dots in preparation of vascular injury detection reagents

The invention relates to the technical field of medical diagnosis, in particular to a quantum dot in preparing a vascular damage detection reagent},{src:\u7684\u7528\u9014\u3002\u672c\u53d1\u660e\u516c\u5f00\u4e86\u91cf\u5b50\u70b9\u5728\u5236\u5907\u8840\u7ba1\u635f\u4f24\u68c0\u6d4b\u8bd5\u5242\u4e2d\u7684\u7528\u9014\u3002,dst:Uses. The invention discloses the use of a quantum dot in preparing a vascular damage detection reagent.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及医药诊断
，具体涉及量子点在制备血管损伤 检测试剂中的用途。
技术介绍
心脑血管疾病已成为威胁人类健康的重要疾病，特别是在中老年 人群中更为突出，其根本原因是动脉硬化导致的血管损伤。目前认为 血管损伤的早期是内皮功能的减退，逐渐发展为血栓、管腔狭窄、闭 塞。进一步了解高血压、高血脂和糖尿病等危险因素是如何不断地损 伤血管，对于预防、控制和治疗血管损伤都是十分重要的。众所周知，血管损伤受着体内、体外多种因素的影响，加之血管 部位的不同受血液动力学影响也不同，所以出现同一个体不同的血管 以及同一条血管不同部位受损伤的程度是大不一样的，而血管的病理 检查仅仅只是检测人体众多血管中微不足道的部分，所以即使采用血 管病理检査，也不一定能真正反映人体血管受损伤的程度。要解决好 这个问题首先必须选择能真正反映全身血管状态的血管进行检查， 其次，寻找更准确、可行的检测方法，如何解决好这些问题是非常必 要和迫切的。对于血管损伤的检测方法主要有(1)血管分子生物学的方法， (2)血管病理学的方法，(3)其他，如血管超声检査法、血管造 影法、血管激光血流检査法等。但是这些方法均存在着一定的缺陷。 目前对于血管损伤的检测方法中，血管分子生物学的方法尚不十分成 熟，还不能用来完全反映临床上血管损伤的程度；对于血管超声检査 法、血管造影法只是对那些血管损伤到一定程度出现了血管中膜增厚、管腔狭窄后才能检出，无法在血管损伤的早中期进行使用；对于 判断血管损伤程度与临床疾病的关联性仍习惯用血管的病理学分期。 对于血管损伤程度仍沿用病理学分期，第一期(动脉硬化的早期病 变)在没有出现明显的动脉硬化之前，在有损伤的血管内皮局部， 单核-巨噬细胞吞噬大量脂质，形成脂质条纹。第二期(脆性动脉样 斑块的产生)随着动脉硬化的发展，脂质积蓄、细胞增殖和细胞外 基质的合成增加而逐渐加重。第三期和第四期(破裂性斑块和血栓形 成)脆性或不稳定型斑块破裂，产生斑块几何形状的改变和血栓形 成，可引起狭窄突然加重，伴或不伴有心绞痛等发作，此称为第三期； 若进一步加重引起管腔完全闭塞，伴有急性心肌梗死、不稳定性心绞 痛后心脏猝死，则为病程的第四期。第五期(纤维斑块的形成)大量 脂质逐渐坏死、崩解，粥样物质可被吸收或为纤维组织所代替，最终 使血管产生严重狭窄。血管损伤是造成心脑血管疾病的根本原因，减少血管损伤是防治 心脑疾病的关键。但是，迄今为止对判断血管损伤程度尚无准确、有 效的方法，所以，寻找一种与临床症状密切相关的、判断血管损伤程 度的检测方法或是非常迫切和必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有血管损伤检测的缺陷或不足，公开了 量子点在制备血管损伤检测试剂中的用途。本专利技术所述量子点是指由n vi族或m v族元素组成，直径约为2-6nm，是一种能接受激发光、产生荧光的半导体纳米颗粒。在一些实施方式里，本专利技术所述量子点除了 n vi族或ni v族量 子点外，还可为n vi族或m v族元素组成的核一壳量子点或量子阱，如CdS， ZnS， HgS， GdSe， ZnSe, HgSe， GdTe, ZnTe， ZnO, PbSe， HgTe, CaAs， InP， InAs， InCaAs， CdS/ZnS， CdS/Ag2S， CdS/PbS,CdS/Cd(OH)2, CdS/HgS， CdS/HgS/CdS, ZnS/CdS, ZnS/CdS/ZnS， ZnS/HgS/ZnS/CdS, CdSe/CdS， CdSe/ZnS， CdSe/ZnSe， CdSe/CuSe， CdSe/HgTe, CdSe/HgSe, CdSe/HgSe/CdSe， CdTe/HgS, InAs/InP, InAs/CdSe, InAs/ZnSe中之一或多种。在一些实施方式里，本专利技术所述量子点还包含MgS, MgSe, MgTe, CaS， CaSe， CaTe, SrS， SrSe， SeTe, BaS， BaSe， BaTe中之一或多种。在一些实施方式里，本专利技术所述量子点为掺杂量子点，掺杂量子 点选自CdS:Mn, ZnS:Mn， CdS:Cu, ZnS:Cu, CdS:Tb， ZnS:Tb中之一或 多种。在一些实施方式里，本专利技术所述检测试剂还包含高分子组分，所 述的高分子所述是指聚苯乙烯，聚乙烯，聚丙烯，聚氯乙烯，聚四氟 乙烯，聚丙烯睛，聚胺酯，天然橡胶，芳香聚醋，聚硅氧烷，聚甲醛， 聚乙醛，聚甲基丙烯酸甲醋，聚甲基丙烯酸乙醋，聚酞胺，聚碳酸酯， 乙基纤维素，聚矾纤维，聚己丙酯，壳聚糖，白蛋白，胶原以及海藻 酸钠中的一种。在一些实施方式里，本专利技术所述血管损伤源于高血压、高血脂或 糖尿病。本专利技术提出和采用纳米尺度的量子点荧光标记，可以在纳米到亚 微米尺度上标记出生物体中的局域特性，同时也考虑到与血管损伤直 接关联的血管内膜局域特性中的一个典型特点是内膜粗糙度的增强， 从含有纳米级细微颗粒的流体在管道内流动基本动力学过程可知，定 性上讲细微颗粒在管道的粗糙表面上比在光滑表面上更容易形成细 微颗粒的沉积，因为在当流体是血液时，该流体将是一个粘稠系数较 大的液体，其流速和液体中纳米尺度量子点颗粒被血管内膜俘获的几 率都很容易受到血管内膜粗糙度的影响，也就是血管内膜粗糙度形成 的对于血液阻尼作用会引发量子点颗粒沉积量发生正向关联性的变 化。所以从本专利技术提出的途径上讲就可以通过量子点荧光标记颗粒的物理阻尼性沉积实现对血管内膜粗糙度的表征，进而形成对于血管损 伤程度的更精细检测。这样的基于量子点荧光标记颗粒在流动中物理 性沉积过程是完全区别于当前普遍采用量子点荧光标记的针对靶点 进行生物或化学修饰后应用的途径。 本专利技术的优越性1. 保持了对于血管损伤检测高灵敏度的医学上可实际应用的便捷特 征；目前进行血管损伤的检测手段中问题是要么精度很高，但不能有医学上实际应用价值，因为太不便捷，所以只能应用在科研上，不能 应用在临床上，要么便捷程度可以满足医学的临床应用，但其精度不 够高，难以进行血管损伤的细微变化的检测。本专利技术方法是能够在精 度上比现有的能够满足临床应用所需求便捷程度的所有方法相应精 度更高，并可以接近最高精度的电子显微镜方法，而在便捷程度上依然保持能够满足临床应用；2. 所采用的量子点无需进行靶点的生物或化学修饰，在目前所有的 量子点生物学应用中都是首先寻需要找到相应合适大分子进行修饰， 使得量子点定向地聚积到靶点位子上。然而本专利技术提出和采用的技术 途径是物理沉积的途径，克服了目前在生物学中使用量子点必须针对 靶点首先寻需要找到相应合适大分子的困难，在血管检测中很方便地 利用了由于血管损伤形成的血管内膜粗糙强化了量子点沉积量的基 本物理过程，使得量子点在血管损伤处形成了被加强的量子点沉积， 所以等效于量子点自动寻找到了血管损伤的具体位置，所以采用本发 明的量子点荧光标记方法对于血管损伤处的生物或化学状态不敏感， 仅对其粗糙度敏感，这样就无需对于具有不同生化特点的血管损伤进 行不同的生物或化学修饰(这样的特异性修饰往往是很困难的，因为 修饰后必须血管中其他部位的所有生化环境都对该修饰有排斥作用， 仅是血管损伤部位的生化环境会吸引该修饰)，大大地提升了检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
量子点在制备血管损伤检测试剂中的用途。

【技术特征摘要】
1.量子点在制备血管损伤检测试剂中的用途。2. 根据权利要求i所述的用途，其特征在于所述量子点是指由n vi族或in v族元素组成，直径约为2 6nm，是一种能接受激发光、产生荧光的半导体纳米 颗粒。3. 根据权利要求i所述的用途，其特征在于所述量子点还可为n vi族或m v族元素组成的核一壳量子点或量子阱。4. 根据权利要求3所述的用途，其特征在于所述量子点选自CdS, ZnS， HgS, GdSe, ZnSe， HgSe， GdTe， ZnTe， ZnO， PbSe， HgTe, CaAs, InP, InAs, InCaAs， CdS/ZnS, CdS/Ag2S, CdS/PbS, CdS/Cd(OH)2, CdS/HgS， CdS/HgS/CdS， ZnS/CdS, ZnS/CdS/ZnS, ZnS/HgS/ZnS/CdS， CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe, CdSe/CuSe， CdSe/HgTe, CdSe/HgSe， CdSe/HgSe/CdSe， C...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆卫，段俊丽，郝长宁，陆晟侃，顾祎，刘蓓菁，陶蕊，韩丽，
申请(专利权)人：陆卫，段俊丽，郝长宁，陆晟侃，顾祎，刘蓓菁，陶蕊，韩丽，
类型：发明
国别省市：31