半导体装置和其形成方法制造方法及图纸

本公开提供一种半导体装置，包括基板上方的飘移层、飘移层上方的源极/漏极区域、源极/漏极区域上的氧化物薄膜、氧化物薄膜上的接触件及邻近源极/漏极区域的栅极结构，其中氧化物薄膜直接接触源极/漏极区域的顶表面，且氧化物薄膜直接接触接触件的底表面。源极/漏极区域包括掺杂第一导电类型的第一掺杂区域及掺杂第二导电类型的第二掺杂区域，其中第一掺杂区域及第二掺杂区域形成源极/漏极区域的顶表面，第二导电类型不同于第一导电类型。氧化物薄膜的导带能阶低于第一掺杂区域的导带能阶，使得氧化物薄膜可以增强源极/漏极区域与接触件之间的穿隧效果，从而降低源极/漏极区域与接触件之间的接触电阻并改善半导体装置的效能。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容是关于半导体装置和其形成方法，且特别是关于金属氧化物半导体装置和其形成方法。

技术介绍

1、在半导体装置中，金属接触件与半导体材料之间的接触会形成欧姆接触电阻(ohmic contact resistance)。欧姆接触电阻过大时，半导体装置整体的导通电阻(ron)会上升而影响装置效能。若在半导体材料中掺杂杂质，金属接触件与半导体材料间的阻障厚度可能减少，从而降低欧姆接触电阻。然而，在半导体材料中掺杂杂质会源于高游离能而难以提升掺杂浓度，造成欧姆接触电阻的下降受限。为了符合目前半导体领域的发展趋势，须克服上述问题以提升半导体装置的效能。

技术实现思路

1、根据本公开的一些实施方式，一种半导体装置包括位于基板上方的飘移层、位于飘移层上方的源极/漏极区域、位于源极/漏极区域上的氧化物薄膜、位于氧化物薄膜上的接触件及邻近源极/漏极区域的栅极结构。源极/漏极区域包括掺杂第一导电类型的第一掺杂区域及掺杂第二导电类型的第二掺杂区域，其中第一掺杂区域及第二掺杂区域形成源极/漏极区域的顶表面，第二导电类型不同于第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该氧化物薄膜的厚度介于1纳米至5纳米间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一导电类型为p型时，该氧化物薄膜的该导带能阶低于该第一掺杂区域的价带能阶，该氧化物薄膜的该导带能阶与该第一掺杂区域的该价带能阶之间的能量差大于或等于0.1eV。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中该氧化物薄膜包括MoO3、WO3或V2O5。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中该接触件包括具有功函数介于4.6eV至7.0eV间的金属材料。

<p>6.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该氧化物薄膜的厚度介于1纳米至5纳米间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一导电类型为p型时，该氧化物薄膜的该导带能阶低于该第一掺杂区域的价带能阶，该氧化物薄膜的该导带能阶与该第一掺杂区域的该价带能阶之间的能量差大于或等于0.1ev。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中该氧化物薄膜包括moo3、wo3或v2o5。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中该接触件包括具有功函数介于4.6ev至7.0ev间的金属材料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一导电类型为n型时，该氧化物薄膜的该导带能阶与该第一掺杂区域的该导带能阶之间的能量差小于或等于0.1ev。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中该氧化物薄膜包括tio2。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中该接触件包括具有功函数介于2.0ev至4.4ev间的金属材料。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该氧化物薄膜覆盖该第一掺杂区域及该第二掺杂区域，且该接触件覆盖该氧化物薄膜。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该氧化物薄膜覆盖该第一掺杂区域，且该接触件覆盖该氧化物薄膜及该第二掺杂区域。

11.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佑祖，陈彦儒，蒋光浩，
申请(专利权)人：鸿扬半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：