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本公开提供一种半导体装置，包括基板上方的飘移层、飘移层上方的源极/漏极区域、源极/漏极区域上的氧化物薄膜、氧化物薄膜上的接触件及邻近源极/漏极区域的栅极结构，其中氧化物薄膜直接接触源极/漏极区域的顶表面，且氧化物薄膜直接接触接触件的底表面。...
该专利属于鸿扬半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鸿扬半导体股份有限公司授权不得商用。

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