【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于化学气相沉积设备,涉及一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统。
技术介绍
1、低压化学气相渗透/沉积技术是一种陶瓷基复合材料或涂层常用的制备方法,其被广泛用来沉积硅化物、硼化物、碳化物、氮化物以及其它难熔金属化合物等。其原理是气体、固体或液态前驱体通过特定的供给系统进入沉积腔内,在一定温度和压力下发生一系列复杂的化学反应生成固态产物。其中,目前常用的液态前驱体有ch3cl3si(mts),ticl4,gecl4和sicl4等,液态前驱体通常储存在密封容器内,采用鼓泡法进入反应腔体,液态前驱体会随着设备沉积时间的进行逐渐减少,因此需要频繁给储存罐中补给前驱体液体。
2、文献“yann gallou,marie dubois,et al.evidence of twin mediated growthin the cvd of polycrystalline silicon carbide.acta materialia,259(2023)119274”报道了采用mts液态前驱体通过低压化学气相沉积技术制
...【技术保护点】
1.一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,包括连通设置的前驱体储存罐(11)以及前驱体补给罐(12);
2.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述前驱体储存罐(11)与前驱体补给罐(12)之间设有第一连通管(16),所述电动可通断组件(17)设置于所述第一连通管(16)上。
3.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述电动可通断组件(17)为电控真空阀门。
4.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体
...【技术特征摘要】
1.一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,包括连通设置的前驱体储存罐(11)以及前驱体补给罐(12);
2.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述前驱体储存罐(11)与前驱体补给罐(12)之间设有第一连通管(16),所述电动可通断组件(17)设置于所述第一连通管(16)上。
3.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述电动可通断组件(17)为电控真空阀门。
4.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述前驱体储存罐(11)的底部设有质量传感器(10),所述质量传感器(10)与所述plc控制组件(7)电连接。
5.根据权利要求4所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述液态前驱体自动补给系统还包括控制箱(8),所述plc控制组件(7)设置在所述控制箱(8)的内部。
6.根据权利要求5所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述控制箱(8)上设有液位显示器(5),所述液位显示器(5)与所述plc控制组件(7)电连接,所述液位显示器(5)用于显示第一液位...
【专利技术属性】
技术研发人员:张建,陈睿聪,张雨雷,张浩辉,
申请(专利权)人:西北工业大学,
类型:发明
国别省市:
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