一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统技术方案

技术编号:41652521 阅读:32 留言:0更新日期:2024-06-13 02:42
本发明专利技术公开一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,该系统中设置用于储存前驱体的前驱体储存罐以及用于当前驱体储存罐中前驱体不足时用于补给的前驱体补给罐,在补给过程中,通过第一液位传感器和第二液位传感器对前驱体储存罐以及前驱体补给罐内部的液体液位进行监控,同时将监控结果反馈给PLC控制器,PLC控制器通过监测结果控制电动可通断组件的通断,实现前驱体储存罐中液体的补给。该系统结构简单,设计合理,有效避免低压化学气相渗透/沉积制备过程中使用的危险及有毒前驱体与空气或人接触产生的危害,同时,自动控制过程,避免了实验的临时中断,提高渗透/沉积工艺的稳定性,且具有低成本,制备方便及高安全性的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学气相沉积设备,涉及一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统


技术介绍

1、低压化学气相渗透/沉积技术是一种陶瓷基复合材料或涂层常用的制备方法,其被广泛用来沉积硅化物、硼化物、碳化物、氮化物以及其它难熔金属化合物等。其原理是气体、固体或液态前驱体通过特定的供给系统进入沉积腔内,在一定温度和压力下发生一系列复杂的化学反应生成固态产物。其中,目前常用的液态前驱体有ch3cl3si(mts),ticl4,gecl4和sicl4等,液态前驱体通常储存在密封容器内,采用鼓泡法进入反应腔体,液态前驱体会随着设备沉积时间的进行逐渐减少,因此需要频繁给储存罐中补给前驱体液体。

2、文献“yann gallou,marie dubois,et al.evidence of twin mediated growthin the cvd of polycrystalline silicon carbide.acta materialia,259(2023)119274”报道了采用mts液态前驱体通过低压化学气相沉积技术制备多晶sic陶瓷;低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,包括连通设置的前驱体储存罐(11)以及前驱体补给罐(12);

2.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述前驱体储存罐(11)与前驱体补给罐(12)之间设有第一连通管(16),所述电动可通断组件(17)设置于所述第一连通管(16)上。

3.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述电动可通断组件(17)为电控真空阀门。

4.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征...

【技术特征摘要】

1.一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,包括连通设置的前驱体储存罐(11)以及前驱体补给罐(12);

2.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述前驱体储存罐(11)与前驱体补给罐(12)之间设有第一连通管(16),所述电动可通断组件(17)设置于所述第一连通管(16)上。

3.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述电动可通断组件(17)为电控真空阀门。

4.根据权利要求1所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述前驱体储存罐(11)的底部设有质量传感器(10),所述质量传感器(10)与所述plc控制组件(7)电连接。

5.根据权利要求4所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述液态前驱体自动补给系统还包括控制箱(8),所述plc控制组件(7)设置在所述控制箱(8)的内部。

6.根据权利要求5所述的一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,其特征在于,所述控制箱(8)上设有液位显示器(5),所述液位显示器(5)与所述plc控制组件(7)电连接,所述液位显示器(5)用于显示第一液位...

【专利技术属性】
技术研发人员:张建陈睿聪张雨雷张浩辉
申请(专利权)人:西北工业大学
类型:发明
国别省市:

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