【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于四甲基硅烷的纯化，具体涉及一种四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法。
技术介绍
1、四甲基硅烷(tms)是一种重要的有机硅材料，在医药、航空航天建筑及机械材料等领域均有广泛的应用。tms在电子工业中可用作化学气相沉积(cvd)或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)的前驱体，用于制备高质量的碳化硅薄膜。tms是超大规模集成电路制程中低介电常数薄膜沉积的前驱体材料，属于市场新兴材料，主要用在90nm以下的集成电路铜芯片制程中，作为刻蚀阻挡层和铜阻挡层。tms原料中含有1～5％左右的2-氯丙烷，由于两者之间存在共沸，所以精馏上很难分离。
2、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其能够。
2、为了实现上述目的，本专利技术一具体实施例提供的技术方案如下：
...【技术保护点】
1.一种四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其特征在于，所述步骤S11中，加热的温度为50～80℃。
3.根据权利要求1所述的四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其特征在于，所述Fe-Na-MOR分子筛催化剂的制备方法包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其特征在于，所述步骤21具体包括：
5.根据权利要求3所述的四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其特征在于，所述S21中的混合体系中，...
【技术特征摘要】
1.一种四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其特征在于，所述步骤s11中，加热的温度为50～80℃。
3.根据权利要求1所述的四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其特征在于，所述fe-na-mor分子筛催化剂的制备方法包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其特征在于，所述步骤21具体包括：
5.根据权利要求3所述的四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其特征在于，所述s21中的混合体系中，偏铝酸钠、氢氧化钠、气相二氧化硅的质量比为6：80：100。
6.根据权利要求3所述的四甲基硅烷原料中2-氯丙烷的去除方法，其特征在于，所述步骤s...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈琪，刘永旭，徐聪，齐相前，孔超，
申请(专利权)人：金宏气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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