将金刚石层施涂在石墨基体上的方法技术

在ＣＶＤ法中将金刚石层稳定地施涂在石墨基体上，条件是在ＣＶＤ法之前对石墨基体实施下列预处理步骤：在高于５００℃，优选高于８００℃的温度下于真空中在蚀刻气体气氛中精细净化表面；机械去除松散的颗粒；用极细的金刚石颗粒给基体表面施加晶种；在Ｔ＞５００℃，优选Ｔ＞７００℃的温度下于真空中进行至少一次脱气处理以去除吸附的烃类和吸附的空气。

Method for applying diamond layer to graphite substrate

In the CVD method, the diamond layer stably applied on the graphite substrate, the condition is to implement the following preprocessing steps of graphite in the CVD method before: in the above 500 DEG C, preferably higher than 800 DEG C in a vacuum in the etching gas atmosphere fine surface cleaning; mechanical removal of loose particles with very fine particles of diamond; the surface of the substrate is applied to seed; in T T > > 500 DEG C, preferably 700 DEG C in vacuum at least once degassing treatment to remove adsorbed hydrocarbons and adsorption air.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种根据化学气相沉积法将金刚石层施涂在石墨基体上 的方法。
技术介绍
已知在真空涂布设备中采用CVD (化学气相沉积)法从含碳气相沉 积金刚石晶体，从而可在适当的基材上制备金刚石涂层。在此，该工艺 气体是氢气(H2)和甲烷(CH4)。沉积金刚石相(sp、改性碳)的前提 条件为抑制热力学稳定性更强的碳结晶相(spS-改性碳-石墨)。为此使 用高浓度的原子氢，因为氢原子能打开双键，并且选择性地腐蚀去除非 期望的碳相，从而使金刚石的生长稳定化。采用加热方式或者通过等离 子体来活化工艺气体，从而产生所需的生长条件。已知可使用含有1% 甲烷的氢气作为工艺气体，生长温度为700至IOO(TC，气体压力在40 至400mbar之间。电化学应用的需要在于，在作为石墨基体的石墨电极体上施涂含有 金刚石层的金刚石电极。根据CVD法在石墨基体上制备金刚石涂层的问 题在于在CVD涂布过程中始终也会形成石墨，其需要通过原子氢加以 腐蚀并去除。当使用石墨基体时，基材本身成为实际上取之不尽的可以 腐蚀的碳源，因而常规的CVD法无法用于石墨基体的金刚石涂布。该问题的一种解决方案在于给石墨基体镀上一层本文档来自技高网...

【技术保护点】
根据ＣＶＤ法将金刚石层施涂在石墨基体上的方法，其中在ＣＶＤ法之前对该石墨基体实施下列预处理步骤：　－在高于５００℃，优选高于８００℃的温度下于真空中在蚀刻气体气氛中精细净化表面，　－机械去除松散的颗粒，　－用极细的金刚石颗 粒给基体表面施加晶种，及　－在Ｔ＞５００℃，优选Ｔ＞７００℃的温度下于真空中进行至少一次脱气处理以去除吸附的烃类和吸附的空气。

【技术特征摘要】
EP 2007-12-21 07024950.31、根据CVD法将金刚石层施涂在石墨基体上的方法，其中在CVD法之前对该石墨基体实施下列预处理步骤-在高于500℃，优选高于800℃的温度下于真空中在蚀刻气体气氛中精细净化表面，-机械去除松散的颗粒，-用极细的金刚石颗粒给基体表面施加晶种，及-在T＞500℃，优选T＞700℃的温度下于真空中进行至少一次脱气处理以去除吸附的烃类和吸附的空气。2、 根据权利要求1所述的方法，其中在氢气氛中实施所述精细净化过程。3、 根据权利要求2所述的方法，其中调节氢气氛的气压小于10 mbar。...

【专利技术属性】
技术研发人员：M弗里达，T马特，S马尔卡希，
申请(专利权)人：康迪亚斯有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]