一种判断MOCVD尾气管道堵塞的方法技术

本发明专利技术公开了一种判断MOCVD尾气管道堵塞的方法，其优化方法：温度传感器选择，位置选择，加装伴热带，安装方式，数据收集，数据计算，数据分析，及时响应，与其他参数关联。本发明专利技术通过在反应室以下排气口的各支路处安装温度监控装置，若分析温度系统分析出端温差＞5℃可初步判断该换热器已结垢，当端温差＞7℃，则严重结垢，通过相邻温度计的差值来判断管道堵塞的位置以及管道堵塞严重情况；相邻两个温度计的温度差若是生产磷化铟体系材料大于5℃即判断为管道堵塞，若是生长砷化镓材料温度差值大于10℃即为堵塞，若是其它材料温度差值大于15℃即判定为堵塞，根据不同的生长材料制定不同的温差标准，能够做到准确实时发现温度异常的管道。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及生长半导体，具体为一种判断mocvd尾气管道堵塞的方法。

技术介绍

1、mocvd在生长inp基光通信半导体激光器时，会产生砷、磷及碳化合物，mocvd（金属有机物气相沉积）是一种生长半导体外延材料的设备，以iii族、ⅱ族元素的有机化合物和v、vi族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种iii-v族、ⅱ-vi族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料，有机源与热气反应生成的三五族化合物部分沉积到衬底上，大部分的原材料随气流流动到排气系统，其中有部分生成物被二级颗粒过滤器过滤掉，还有部分沉积到排气系统的管道内壁上，随着时间的延长，日积月累，管道的内径会逐渐变小，影响气流的流动，所以需要及时判断排气管道内壁的附着物的厚度，及时的做出判断，以便准确的把控维护时间点，避免影响设备运行，为了有效的解决尾气管道堵塞问题，提出一种判断mocvd尾气管道堵塞的方法。

2、通常判断的方法是根据排气系统管道上安装的压力表，利用其前后端压力表的差值变化，来判断管道是否堵塞，如果压差很小时说明管道通畅，如果本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种判断MOCVD尾气管道堵塞的方法，其优化方法：温度传感器选择，位置选择，加装伴热带，安装方式，数据收集，数据计算，数据分析，及时响应，与其他参数关联，其特征在于：包括以下九个步骤：

2.根据权利要求1所述的一种判断MOCVD尾气管道堵塞的方法，其特征在于：在所述步骤二中，在Y1管的5a，Y2管的5b处绑定热电偶探测器，在Y3管的6a，Y4管的6b处绑定热电偶探测器，在Y5管的7a，Y6管的7b，Y7管的7c处绑定热电偶探测器，实时监测反应室以下各支路的温度变化，如果相邻两个温度计的温度差若是生产磷化铟体系材料大于5℃即判断为管道堵塞，若是生长砷化镓材料温度差值大于10...

【技术特征摘要】

1.一种判断mocvd尾气管道堵塞的方法，其优化方法：温度传感器选择，位置选择，加装伴热带，安装方式，数据收集，数据计算，数据分析，及时响应，与其他参数关联，其特征在于：包括以下九个步骤：

2.根据权利要求1所述的一种判断mocvd尾气管道堵塞的方法，其特征在于：在所述步骤二中，在y1管的5a，y2管的5b处绑定热电偶探测器，在y3管的6a，y4管的6b处绑定热电偶探测器，在y5管的7a，y6管的7b，y7管的7c处绑定热电偶探测器，实时监测反应室以下各支路的温度变化，如果相邻两个温度计的温度差若是生产磷化铟体系材料大于5℃即判断为管道堵塞，若是生长砷化镓材料温度差值大于10℃即为堵塞，若是其它材料温度差值大于15℃即判定为堵塞，能够做到准确实时，根据不同的生长材料制定不同的温差标准。

3.根据权利要求1所述的一种判断mocvd尾气管道堵塞的方法，其特征在于：在所述步骤二中，在反应室以下排气口的各支路处安装温度监控装置，通过相邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋波，孔庆军，张龙，杨皓宇，
申请(专利权)人：南京镭芯光电有限公司，
类型：发明
国别省市：