阵列基板及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种阵列基板及液晶显示装置。该阵列基板包括：衬底基板、栅极线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、覆盖在栅电极之上的漏电极和源电极，其中：漏电极前端与源电极前端凹凸配合，且漏电极前端和源电极前端分别从栅电极的一侧沿伸至栅电极的另一侧。该液晶显示装置采用本发明专利技术的阵列基板，还包括彩膜基板，该彩膜基板与阵列基板对盒设置，其间填充有液晶层。本发明专利技术采用将源电极和漏电极沿伸贯穿覆盖栅电极的技术手段，能够保证源电极、漏电极与栅电极的相对位置变化时形成的叠层区域面积不改变，从而使寄生电容分布均匀，工作电压偏离值差异减小，并最终改善显示效果。

Array substrate and liquid crystal display device

The invention relates to an array substrate and a liquid crystal display device. The array substrate comprises a substrate, a gate line, a data line, a pixel electrode and a thin film transistor, thin film transistor includes a gate electrode, covering the drain electrode and source electrode, gate electrode on the drain electrode and the source electrode: the front end and a drain electrode bump with front end and a source electrode respectively from the other side of the front side of the gate the electrode extending to the gate electrode. The liquid crystal display device adopts the array substrate of the invention, and also comprises a color film base plate, wherein the color film base plate and the array substrate are arranged on the box, and liquid crystal layer is filled in between the color film base plate and the array substrate. The invention adopts the source and drain electrodes extending through technical means of covering a gate electrode stack area formed, can ensure the relative position changes in the source electrode and the drain electrode and the gate electrode when does not change, so that the parasitic capacitance distribution, voltage deviation difference decreases, and ultimately improve the display effect.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种阵列基板及液晶显示装置，尤其涉及一种薄膜晶体管液 晶显示装置中所使用的阵列基板，以及采用该阵列基板的液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置是目前日趋普及的平板显示装置，例如薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, 以下简称TFT-LCD)就是常见的类型之一。在液晶显示装置中，面板(panel)是重要部件 之一，面板一般由彩膜基板和阵列基板对盒形成，在彩膜基板和阵列基板之 间填充液晶材料。如图1所示为液晶显示装置中阵列基板上一个像素单元的常见结构俯视 图，该阵列基板主要包括衬底基板、多条栅极线2、多条数据线6、多个像素 电极7和薄膜晶体管。栅极线2和数据线5交叉形成在衬底基板上，相邻的 栅极线2和数据线6交叉定义了各个像素区域。 一个像素区域包含有栅极线 2、透明的像素电极7 (以下简称IT0)、数据线6和薄膜晶体管。其中，薄 膜晶体管主要由栅电极13、源电极(Source) 16、漏电极(Drain ) 15组成， 栅电极13与栅极线2连接，漏电极15与像素电极7连接，源电极16与数据 线6连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：　衬底基板；　栅极线和数据线，交叉设置在所述衬底基板上；　像素电极，以矩阵形式排列设置在所述衬底基板上，且设置在所述栅极线和数据线之间；　薄膜晶体管，包括与所述栅极线连接的栅电极、分别与所述像素电 极和数据线连接的漏电极和源电极；所述漏电极和源电极覆盖在所述栅电极之上，且所述源电极的前端与所述漏电极的前端相对设置，其特征在于：　所述漏电极的前端与所述源电极的前端凹凸配合，且所述漏电极的前端和所述源电极的前端分别从所述栅电极的一侧 沿伸至栅电极的另一侧。

【技术特征摘要】
1、一种阵列基板，包括衬底基板；栅极线和数据线，交叉设置在所述衬底基板上；像素电极，以矩阵形式排列设置在所述衬底基板上，且设置在所述栅极线和数据线之间；薄膜晶体管，包括与所述栅极线连接的栅电极、分别与所述像素电极和数据线连接的漏电极和源电极；所述漏电极和源电极覆盖在所述栅电极之上，且所述源电极的前端与所述漏电极的前端相对设置，其特征在于所述漏电极的前端与所述源电极的前端凹凸配合，且所述漏电极的前端和所述源电极的前端分别从所述栅电极的一侧沿伸至栅电极的另一侧。2、 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述源电极前端的形 状为U字型，所述漏电极前端的形状为一字型，所述漏电极的前端插入所述 源电极的前端，且所述源电极U字型前端的两边和...

【专利技术属性】
技术研发人员：林允植，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]