阵列基板及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种阵列基板及液晶显示装置。该阵列基板包括：衬底基板、栅极线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、覆盖在栅电极之上的漏电极和源电极，其中：漏电极前端与源电极前端凹凸配合，且漏电极前端和源电极前端分别从栅电极的一侧沿伸至栅电极的另一侧。该液晶显示装置采用本发明专利技术的阵列基板，还包括彩膜基板，该彩膜基板与阵列基板对盒设置，其间填充有液晶层。本发明专利技术采用将源电极和漏电极沿伸贯穿覆盖栅电极的技术手段，能够保证源电极、漏电极与栅电极的相对位置变化时形成的叠层区域面积不改变，从而使寄生电容分布均匀，工作电压偏离值差异减小，并最终改善显示效果。

Array substrate and liquid crystal display device

The invention relates to an array substrate and a liquid crystal display device. The array substrate comprises a substrate, a gate line, a data line, a pixel electrode and a thin film transistor, thin film transistor includes a gate electrode, covering the drain electrode and source electrode, gate electrode on the drain electrode and the source electrode: the front end and a drain electrode bump with front end and a source electrode respectively from the other side of the front side of the gate the electrode extending to the gate electrode. The liquid crystal display device adopts the array substrate of the invention, and also comprises a color film base plate, wherein the color film base plate and the array substrate are arranged on the box, and liquid crystal layer is filled in between the color film base plate and the array substrate. The invention adopts the source and drain electrodes extending through technical means of covering a gate electrode stack area formed, can ensure the relative position changes in the source electrode and the drain electrode and the gate electrode when does not change, so that the parasitic capacitance distribution, voltage deviation difference decreases, and ultimately improve the display effect.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种阵列基板及液晶显示装置，尤其涉及一种薄膜晶体管液 晶显示装置中所使用的阵列基板，以及采用该阵列基板的液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置是目前日趋普及的平板显示装置，例如薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, 以下简称TFT-LCD)就是常见的类型之一。在液晶显示装置中，面板(panel)是重要部件 之一，面板一般由彩膜基板和阵列基板对盒形成，在彩膜基板和阵列基板之 间填充液晶材料。如图1所示为液晶显示装置中阵列基板上一个像素单元的常见结构俯视 图，该阵列基板主要包括衬底基板、多条栅极线2、多条数据线6、多个像素 电极7和薄膜晶体管。栅极线2和数据线5交叉形成在衬底基板上，相邻的 栅极线2和数据线6交叉定义了各个像素区域。 一个像素区域包含有栅极线 2、透明的像素电极7 (以下简称IT0)、数据线6和薄膜晶体管。其中，薄 膜晶体管主要由栅电极13、源电极(Source) 16、漏电极(Drain ) 15组成， 栅电极13与栅极线2连接，漏电极15与像素电极7连接，源电极16与数据 线6连接，并且，漏电极15和源电极16覆盖在栅电极13之上，且源电极 16的前端和漏电极15的前端相对设置，所谓源电极16的前端，即源电极16 远离数据线6的一端，漏电极15的前端即远离像素电极7的一端。在各导电 部件之间设有绝缘层相互隔离，像素电极7通过钝化层过孔17与漏电极l5 实现电导通。在阵列基板工作时，通过栅极线输入扫描驱动信号，通过数据线输入数 据信号，利用栅电极将漏电极和源电极导通，则像素电极可以与数据线连通。 在彩膜基板上一般对应像素电极设置公共电极，公共电极通有恒定的电压， 所以能够在像素电极和公共电极之间形成工作电压，该工作电压值的大小随 着数据线电压的变化而变化，则液晶在不同电容值的作用下改变扭转方向， 进而改变透光性能，实现图像显示。由上述阵列基板的结构可知，阵列基板由多层构成，有多处形成了叠层结构。例如，在源电极、漏电极与栅电极之间均有重叠的结构。当栅电极13 和源电极16通有电压信号时，在源电极16与栅电极13的叠层之间，即在图 2中所示的第一叠层区域10会形成寄生电容Cgs,在漏电极15与栅电极13 的叠层之间，即在图2中所示的第二叠层区域20会形成寄生电容Cgd。寄生 电容会与工作电压相叠加就会偏离理想的工作电压值，各个寄生电容所形成 的寄生电压可统一记为AVp,即理想电压和实际工作电压的偏差值。若各个 像素单元中的源电极、漏电极与栅电极之间的叠层面积不相等，那么在阵列 内部的、不同位置的各个像素单元中产生的寄生电容就会不同。寄生电容在 阵列基板上的不均匀分布，将导致在不同位置的所叠加的寄生电容AVp不等， 即工作电压偏离原值的偏离值大小不同，最终将导致液晶显示装置上，不同 画面位置的显示效果不均匀，画面会出现闪烁的现象，从而降低了液晶显示 装置的显示效果。影响上述叠层面积的因素可能有多方面，若栅电极与源电 极、漏电极的相对位置在水平面内的四个方向上稍有改变，都会导致叠层面 积的改变。现有技术为解决上述问题，消除阵列基板上不同像素单元位置寄生电容 的差异所采用的技术方案有Etch Stopper的TFT制造技术，还有采用 BCE(Back Channel Etch)结构的TFT技术
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种阵列基板及液晶显示装置，以解决阵列基板上 寄生电容分布不均匀的问题，减小工作电压偏离值的差异，减轻出现在液晶 显示装置上的闪烁现象，改善显示效果。为实现上述目的，本专利技术提供了一种阵列基板，包括 栅极线和数据线，交叉设置在衬底基板上；像素电极，以矩阵形式排列设置在所述衬底基板上，且设置在栅极线和 数据线之间；薄膜晶体管，包括与栅极线连接的栅电极、分别与像素电极和数据线连 接的漏电极和源电极；该漏电极和源电极覆盖在栅电极之上，且源电极的前 端与漏电极的前端相对设置，其中漏电极的前端与源电极的前端凹凸配合，且漏电极的前端和源电极的前 端分别从栅电极的一侧沿伸至栅电极的另一侧。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种液晶显示装置，采用本专利技术的阵 列基板，还包括彩膜基板，该彩膜基板与阵列基板对盒设置，在彩膜基板与 阵列基板之间填充有液晶层。由以上技术方案可知，本专利技术采用将源电极和漏电极沿伸贯穿覆盖栅电 极的技术手段，克服了源电极、漏电极与栅电极的相位位置变化时，形成的 叠层面积会改变，使得阵列基板上各像素单元中叠层面积不均匀、寄生电容 不一致，造成各像素单元工作电压所叠加的寄生电容不等，即工作电压的偏 离值不等，最终导致显示时出现闪烁现象，显示效果不佳的技术问题。本发 明能够解决上述问题，使各像素电源中的叠层面积一致，不受相对位置变化 的影响，进而使工作电压的偏离值一致，减轻显示时出现的闪烁现象，改善 液晶显示装置的显示效果。下面通过具体实施例并结合附图对本专利技术做进一步的详细描述。附图说明图1为现有技术液晶显示装置阵列基板的局部结构示意图2为现有技术液晶显示装置阵列基板中薄膜晶体管的结构示意图3为本专利技术阵列基板具体实施例一的结构示意图4为本专利技术阵列基板具体实施例二的结构示意图5为本专利技术阵列基板具体实施例三的结构示意图。附图标记i兌明2-栅极线 6-数据线 7-像素电极10-第一叠层区域 13-栅电极 15-漏电极 16-源电极 17-钝化层过孔 20-第二叠层区域具体实施例方式阵列基板实施例一如图3所示为本专利技术阵列基板具体实施例一中一个像素单元中薄膜晶体 管的局部结构示意图。该阵列基板包括衬底基板(图中未示)；交叉设置 在衬底基板上的多条栅极线2和数据线6;设置在各个栅极线2和数据线6 交叉形成的区域之间、以矩阵形式排列设置在衬底基板上的像素电极7,每 个由栅极线2和数据线6交叉形成的区域定义为一个像素单元。阵列基板上 还设置有薄膜晶体管，具体包括与栅极线2连接的栅电极13,与像素电极7 连接的漏电极15,和与数据线6连接的源电极16，其中的漏电极15具体与 像素电极7通过钝化层过孔17连接。漏电极15和源电极16覆盖在栅电极 13远离栅极线2的端部之上，且源电极16的前端与漏电极15的前端相对设 置。其中，所谓源电极16的前端，即远离数据线6的一端，而漏电极15的 前端即远离像素电极7的一端，并且，在液晶显示装置中，源电极16和漏电 极15的作用实质上是为了导通像素电极7和数据线6,并不因名称不同而有 本质区别，实际应用中可以互换。本实施例中，漏电极15与源电极16设置 在栅电极13之上的部分，也就是漏电极15前端与源电极16的前端相互凹凸配合，如图3所示，源电极16前端的形状为U字型，漏电极15前端的形状 为一字型，漏电极15前端的一字型凸部插入源电极16 U字型前端的凹口之 内，且漏电极15 —字型的前端与源电极16U字型前端的两边分别从4册电极 13的 一侧沿伸至栅电极13的另 一侧。本实施例的技术方案，能够保证漏电极15、源电极16与栅电极13的相 对位置在水平面内四个方向上发生一定变化时，漏电极15与栅电极13的第 二叠层区域20，源电极16与栅电极13的第一叠层区域10的面积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：　衬底基板；　栅极线和数据线，交叉设置在所述衬底基板上；　像素电极，以矩阵形式排列设置在所述衬底基板上，且设置在所述栅极线和数据线之间；　薄膜晶体管，包括与所述栅极线连接的栅电极、分别与所述像素电 极和数据线连接的漏电极和源电极；所述漏电极和源电极覆盖在所述栅电极之上，且所述源电极的前端与所述漏电极的前端相对设置，其特征在于：　所述漏电极的前端与所述源电极的前端凹凸配合，且所述漏电极的前端和所述源电极的前端分别从所述栅电极的一侧 沿伸至栅电极的另一侧。

【技术特征摘要】
1、一种阵列基板，包括衬底基板；栅极线和数据线，交叉设置在所述衬底基板上；像素电极，以矩阵形式排列设置在所述衬底基板上，且设置在所述栅极线和数据线之间；薄膜晶体管，包括与所述栅极线连接的栅电极、分别与所述像素电极和数据线连接的漏电极和源电极；所述漏电极和源电极覆盖在所述栅电极之上，且所述源电极的前端与所述漏电极的前端相对设置，其特征在于所述漏电极的前端与所述源电极的前端凹凸配合，且所述漏电极的前端和所述源电极的前端分别从所述栅电极的一侧沿伸至栅电极的另一侧。2、 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述源电极前端的形 状为U字型，所述漏电极前端的形状为一字型，所述漏电极的前端插入所述 源电极的前端，且所述源电极U字型前端的两边和...

【专利技术属性】
技术研发人员：林允植，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]