一种绝缘栅半导体芯片及制备方法、电子设备技术

本申请涉及一种绝缘栅半导体芯片及制备方法、电子设备。绝缘栅半导体芯片包括漏极外延层、栅氧层、栅极层等，在绝缘栅半导体芯片的源极区中设置了与第一重掺杂区以及第二轻掺杂区连接的第一轻掺杂区，第一轻掺杂区可以被等效为与绝缘栅半导体芯片源极串联的负反馈电阻，当外部向绝缘栅半导体芯片的栅电极与源电极施加V<subgt;GS</subgt;时，该电阻可以实现分压，提升栅源耐压性能，降低栅氧层被击穿的风险，进而增强绝缘栅半导体芯片的可靠性与应用该绝缘栅半导体芯片的电子设备的品质。同时，第二重掺杂区与源电极连接，能够实现源电极的欧姆接触，减小接触电阻，进一步提升绝缘栅半导体芯片的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其是涉及一种绝缘栅半导体芯片及制备方法、电子设备。

技术介绍

1、栅氧层是绝缘栅半导体芯片中的重要结构，其控制着绝缘栅半导体芯片的导电性能，是实现绝缘栅半导体芯片功能的必要基础。栅氧层的击穿电压影响着绝缘栅半导体芯片的性能，击穿电压是指栅氧层在电场作用下被击穿的最小电压，当施加的电压超过该击穿电压，就会导致栅氧层被击穿，给绝缘栅半导体芯片造成不可逆的损伤。所以，如何提升绝缘栅半导体芯片的栅源耐压能力，防止栅氧层被击穿，提升绝缘栅半导体芯片的可靠性是半导体
一直关注的问题。

技术实现思路

1、为了解决绝缘栅半导体芯片中栅源耐压性差，栅氧层容易被击穿，可靠性不高的问题，本申请提供了一种绝缘栅半导体芯片及制备方法、电子设备。

2、第一方面，本申请提供一种绝缘栅半导体芯片，所述绝缘栅半导体芯片包括：

3、第一掺杂型的漏极外延层，所述漏极外延层具有相对的第一表面与第二表面；

4、设于所述漏极外延层的所述第一表面的栅氧层；

5、与所述栅氧层层叠且位本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种绝缘栅半导体芯片，其特征在于，所述绝缘栅半导体芯片包括：

2.如权利要求1所述的绝缘栅半导体芯片，其特征在于，所述栅极层为多晶硅层；所述第二轻掺杂区通过从所述第一表面对所述漏极外延层中的部分区域进行离子注入形成，所述第一轻掺杂区通过从所述第一表面对所述第二轻掺杂区中的部分区域进行离子注入形成，所述第一重掺杂区通过从所述第一表面对所述第一轻掺杂区中的部分区域进行离子注入形成，所述第二重掺杂区通过从所述第一表面对所述第一重掺杂区中的部分区域进行离子注入形成。

3.如权利要求1所述的绝缘栅半导体芯片，其特征在于，所述第一掺杂型为N型，所述第二掺杂型为P型；所述栅...

【技术特征摘要】

1.一种绝缘栅半导体芯片，其特征在于，所述绝缘栅半导体芯片包括：

2.如权利要求1所述的绝缘栅半导体芯片，其特征在于，所述栅极层为多晶硅层；所述第二轻掺杂区通过从所述第一表面对所述漏极外延层中的部分区域进行离子注入形成，所述第一轻掺杂区通过从所述第一表面对所述第二轻掺杂区中的部分区域进行离子注入形成，所述第一重掺杂区通过从所述第一表面对所述第一轻掺杂区中的部分区域进行离子注入形成，所述第二重掺杂区通过从所述第一表面对所述第一重掺杂区中的部分区域进行离子注入形成。

3.如权利要求1所述的绝缘栅半导体芯片，其特征在于，所述第一掺杂型为n型，所述第二掺杂型为p型；所述栅氧层包括二氧化硅，所述漏极外延层包括碳化硅。

4.如权利要求1至3任一项所述的绝缘栅半导体芯片，其特征在于，所述绝缘栅半导体芯片中还包括以下至少之一：...

【专利技术属性】
技术研发人员：任炜强，康剑，
申请(专利权)人：深圳真茂佳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：