【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体工艺领域，具体涉及一种半导体等离子体工艺监测装置及监测方法。
技术介绍
1、公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
2、半导体产业中，刻蚀类设备与沉积类设备是工艺中的关键设备也是最常用的设备，而这两类设备的核心应用就是利用等离子体来进行各自对应的工艺。由于离子的波动是无序的，难以对等离子体进行直接观测，所以目前在半导体工艺之中对于刻蚀和沉积设备的腔体内部生成的等离子体的浓度无法进行严格的把控和观测。当等离子体浓度无法达到工艺的浓度值的时候，刻蚀工艺和沉积工艺的精确性会受到很大影响，导致芯片成品的良率降低，从而影响整体的产能。
3、现有技术中直接参考等离子体激励源的面板参考功率数值，利用面板参考功率与等离子体的浓度具有的关系，通过参考该机器的工作状态可以大致推测出等离子体的浓度。但是由于现阶段的等离子体激励源的内置的检测电路通常采用一些较为落后的电路设计，这一类装置稳定性差，准确度...
【技术保护点】
1.一种半导体等离子体工艺监测装置，其特征在于，包括信号取样部、信号分析部、正向传递系数监测部、反向传递系数监测部和温度监测部，所述信号取样部设置正向信号取样端、反向信号取样端和两个射频接头，所述信号取样部中设置取样结构利用电磁感应将能量信号取样为电压信号，所述正向传递系数监测部的信号输入端与所述正向信号取样端相连，所述反向传递系数监测部的信号输入端与所述反向信号取样端相连，所述正向传递系数监测部、反向传递系数监测部和温度监测部的信号输出端分别与所述信号分析部相连。
2.如权利要求1所述的半导体等离子体工艺监测装置，其特征在于，所述正向传递系数监测部包括依...
【技术特征摘要】
1.一种半导体等离子体工艺监测装置，其特征在于，包括信号取样部、信号分析部、正向传递系数监测部、反向传递系数监测部和温度监测部，所述信号取样部设置正向信号取样端、反向信号取样端和两个射频接头，所述信号取样部中设置取样结构利用电磁感应将能量信号取样为电压信号，所述正向传递系数监测部的信号输入端与所述正向信号取样端相连，所述反向传递系数监测部的信号输入端与所述反向信号取样端相连，所述正向传递系数监测部、反向传递系数监测部和温度监测部的信号输出端分别与所述信号分析部相连。
2.如权利要求1所述的半导体等离子体工艺监测装置，其特征在于，所述正向传递系数监测部包括依次相连的正向取样电路、正向传递系数滤波电路、正向检波电路和第一模数转换器，所述正向取样电路的信号输入端与所述正向信号取样端相连，所述第一模数转换器的信号输出端与所述信号分析部相连。
3.如权利要求1所述的半导体等离子体工艺监测装置，其特征在于，所述反向传递系数监测部包括依次相连的反向取样电路、反向传递系数滤波电路、反向检波电路和第二模数转换器，所述反向取样电路的信号输入端与所述反向信号取样端相连，所述第二模数转换器的信号输出端与所述信号分析部相连。
4.如权利要求1所述的半导体等离子体工艺监测装置，其特征在于，所述温度监测部包括依次连接的温度传感器、温度滤波电路和第三模数转换器，所述第三模数转换器的信号输出端与所述信号分析部相连。
【专利技术属性】
技术研发人员：李涛，陈磊，胡玉麒，
申请(专利权)人：济南东汉半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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