一种基于HTCC的高气密性矩形波导-共面波导过渡结构制造技术

本发明专利技术属于微波毫米波器件技术领域，提供一种基于HTCC的高气密性矩形波导‑共面波导过渡结构,包括多层陶瓷介质，多层陶瓷介质的上下两端分别连通有共面波导和矩形波导；多层陶瓷介质包括从下到上依次设置的基片集成波导和若干介质基板，两相邻介质基板之间、基片集成波导与介质基板之间设置有金属层，共面波导与顶部的介质基板之间通过第二耦合缝隙进行波传导，矩形波导与基片集成波导之间通过第一耦合缝隙进行波传导。本发明专利技术可以使W波段的射频器件具有高气密性且能防止能量泄漏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微波毫米波器件，尤其涉及一种基于htcc的高气密性矩形波导-共面波导过渡结构。

技术介绍

1、随着无线通信技术的不断发展，现代通信系统的无线电频谱变得越来越拥挤。其中，w波段(75ghz-110ghz)作为一个重要的无线电频段，虽然位于太赫兹频段的边缘，但具有传输距离远、穿透性强等优点，因此仍然是毫米波和太赫兹频段中的重要窗口频率。

2、微波领域中，多层电路版中的电磁信号在不同层的传输线间传输和转换，过渡结构是连接不同波导或传输线的关键组件，用于实现信号的有效传输和匹配。所以过渡结构的设计对于提高射频器件的性能至关重要。在过渡结构的设计和制造中，气密性是一个至关重要的考虑因素。气密性指的是材料或结构对气体的阻隔性能，尤其在高频射频环境下，保持器件内部的气密性对于防止信号损耗、减小干扰以及提高器件稳定性至关重要。而实现微波器件的气密性封装可以确保管芯与外界环境隔绝，避免外界有害气体的侵袭，限制封装腔体内水汽含量，以及对自由粒子的控制等。

3、高温共烧陶瓷(htcc)工艺是一种先进的微电子封装技术，其特点在于能够在高温环境本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于HTCC的高气密性矩形波导-共面波导过渡结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种基于HTCC的高气密性矩形波导-共面波导过渡结构，其特征在于：所述第一耦合缝隙(221)设置在所述基片集成波导(24)与所述矩形波导(1)之间，所述第二耦合缝隙(222)设置在所述介质基板(25)与所述共面波导(3)之间，所述矩形波导(1)中的电磁波通过所述第一耦合缝隙(221)进入到所述基片集成波导(24)和介质基板(25)中，所述介质基板(25)中的电磁阀通过所述第二耦合缝隙(222)进入到共面波导(3)中。

3.根据权利要求1所述的一种基于HTCC的高气...

【技术特征摘要】

1.一种基于htcc的高气密性矩形波导-共面波导过渡结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种基于htcc的高气密性矩形波导-共面波导过渡结构，其特征在于：所述第一耦合缝隙(221)设置在所述基片集成波导(24)与所述矩形波导(1)之间，所述第二耦合缝隙(222)设置在所述介质基板(25)与所述共面波导(3)之间，所述矩形波导(1)中的电磁波通过所述第一耦合缝隙(221)进入到所述基片集成波导(24)和介质基板(25)中，所述介质基板(25)中的电磁阀通过所述第二耦合缝隙(222)进入到共面波导(3)中。

3.根据权利要求1所述的一种基于htcc的高气密性矩形波导-共面波导过渡结构，其特征在于：所述基片集成波导(24)与若干所述介质基板(25)之间设置有金属填充通孔阵列(21)。

4.根据权利要求3所述的一种基于htcc的高气密性矩形波导-共面波导过渡结构，其特征在于：所述金属填充通孔阵列(21)包括若干外侧金属填充通孔(211)和若干中间金属填充通孔(212)，若干所述外侧金属填充通孔(211)和若干所述中间金属填充通孔(212)竖向均匀分布在所述基片集成波导(24)、若干介质基板(25)之间。

5.根据权利要求4所述的一种基于htcc的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金华江，高珊，李杰，
申请(专利权)人：河北鼎瓷电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：