抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及陶瓷基板技术领域，提出了抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板及其制备方法。抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板，原料包括以下重量份的组分：氧化铝95~110份、增塑剂3~8份、助剂6~12份、粘结剂4~7份、分散剂3~6份、溶剂60~70份；助剂的制备方法包括以下步骤：A1、将氧化钙加入乙醇中，加入葡萄糖，搅拌至混合均匀，浓缩，得到葡萄糖包覆材料；A2、将葡萄糖包覆材料进行退火处理，得到碳包覆材料；A3、将碳包覆材料与氧化镁、二氧化钛混合均匀后球磨，得到助剂。通过上述技术方案，解决了相关技术中氧化铝陶瓷基板力学性能低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷基板，具体的，涉及抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板及其制备方法。

技术介绍

1、在电子封装与能源器件领域，氧化铝多层陶瓷基板的可靠性直接影响高端电子器件的性能，而烧结助剂的选择是决定基板质量的关键。传统氧化镁、氧化钙等助剂虽能促进烧结致密化，但提升陶瓷基板力学性能的能力受限，主要原因在于：①氧化钙易吸潮变质并且还会引入水分干扰烧结过程，导致烧结致密化不充分、晶界结合力不足；②氧化镁在高温下与氧化铝反应生成镁铝尖晶石，该相具有与氧化铝基体良好的化学相容性和较高的结构稳定性，其纳米级颗粒在晶界处的均匀分布可有效阻碍晶粒异常长大，成为调控基板微观结构的关键，然而尖晶石的生成速率难以控制。

技术实现思路

1、本专利技术提出抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板及其制备方法，解决了相关技术中氧化铝陶瓷基板力学性能低的问题。

2、本专利技术的技术方案如下：

3、本专利技术提出抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板，原料包括以下重量份的组分：氧化铝95~110份、增塑剂3~8份、助剂6~12份、粘结剂4~7份、分散剂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板，其特征在于，原料包括以下重量份的组分：氧化铝95~110份、增塑剂3~8份、助剂6~12份、粘结剂4~7份、分散剂3~6份、溶剂60~70份；

2.根据权利要求1所述的抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板，其特征在于，所述氧化镁和氧化钙的质量比为13:7~8；

3.根据权利要求1所述的抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板，其特征在于，所述退火处理的温度为450~560℃，时间为6~7h，气氛为氩气；

4.根据权利要求1所述的抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板，其特征在于，所述氧化钙的粒径为1~10μm，所述氧化镁和二氧化钛的粒径各自独立地为100~200n...

【技术特征摘要】

1.抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板，其特征在于，原料包括以下重量份的组分：氧化铝95~110份、增塑剂3~8份、助剂6~12份、粘结剂4~7份、分散剂3~6份、溶剂60~70份；

2.根据权利要求1所述的抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板，其特征在于，所述氧化镁和氧化钙的质量比为13:7~8；

3.根据权利要求1所述的抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板，其特征在于，所述退火处理的温度为450~560℃，时间为6~7h，气氛为氩气；

4.根据权利要求1所述的抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板，其特征在于，所述氧化钙的粒径为1~10μm，所述氧化镁和二氧化钛的粒径各自独立地为100~200nm。

5.根据权利要求4所述的抗弯曲氧化铝多层陶瓷基板，其特征在于，所述氧化钙的粒径为10μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：高珊，金华江，李杰，陈新桥，梁鹏杰，李磊，张晨旭，
申请(专利权)人：河北鼎瓷电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：