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本申请涉及一种绝缘栅半导体芯片及制备方法、电子设备。绝缘栅半导体芯片包括漏极外延层、栅氧层、栅极层等，在绝缘栅半导体芯片的源极区中设置了与第一重掺杂区以及第二轻掺杂区连接的第一轻掺杂区，第一轻掺杂区可以被等效为与绝缘栅半导体芯片源极串联的负...
该专利属于深圳真茂佳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳真茂佳半导体有限公司授权不得商用。

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