【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电平转换,具体涉及一种电平转换器和一种电平转换器的转换方法。
技术介绍
1、最近几年电源ic的需求量暴增,尤其是国产替代的需要,国内多家公司都推出了功率芯片。而这些功率芯片中往往是包含开关管的,这些开关管中几乎都会涉及到高端管的设计,高端管会使用pmos或nmos,由于nmos的电子迁移率大于pmos的迁移率,使得相同导通电阻情况下,nmos的面积会更小,同样相同面积情况下,nmos的导通电阻会更小,实现的功率芯片的效率更高,所以大部分产品偏向于使用nmos管,但是nmos管开关时往往是source端为高压脉冲,drain端为输入电源,那么gate端需要产生比source更高的电压才能导通,所以普遍是gate端电压根据source电压来实现自举,当source电压为高,gate需要更高,使得nmos充分开启,当source为低时,gate也为低,使得nmos截止。
2、所以gate端需要一个高压高速时钟电源域。在此类电源域转换过程中,往往会遇到发出错误信号,导致功率开关进入不正常状态,轻则工作异常,重则高低端功
...【技术保护点】
1.一种电平转换器的转换方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种电平转换器的转换方法,其特征在于,在步骤S1中,HS_DR_LV为HS低压驱动信号,其电源域为VDD-GND,HS_DR_LV直接控制晶体管N2,HS_DR_LV经过反相器控制晶体管N1,N1和N2为低压5V的NMOS管,晶体管个数N1:N2=1:1;
3.根据权利要求2所述的一种电平转换器的转换方法,其特征在于,在步骤S1中,三极管B1和B2是NPN三极管,用于钳位A、B两个节点电压不低于SW,同时用于快速上拉至BST。
4.根据权利要求3所述的
...【技术特征摘要】
1.一种电平转换器的转换方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种电平转换器的转换方法,其特征在于,在步骤s1中,hs_dr_lv为hs低压驱动信号,其电源域为vdd-gnd,hs_dr_lv直接控制晶体管n2,hs_dr_lv经过反相器控制晶体管n1,n1和n2为低压5v的nmos管,晶体管个数n1:n2=1:1;
3.根据权利要求2所述的一种电平转换器的转换方法,其特征在于,在步骤s...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢炜超,沈林峰,史佳卉,潘晓斌,封姣姣,张焘,
申请(专利权)人:禾润电子科技嘉兴股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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