本技术公开了一种电平转换器，包括电平转换主体电路和RS锁存电路，所述电平转换主体电路和所述RS锁存电路电性连接，所述电平转换主体电路包括晶体管P1‑P6、晶体管N1‑N8、三极管B1‑B2以及寄生电容C1‑C2，信号HS_DR_LV一路通过反相器与晶体管N1的栅极连接并且另一路直接与晶体管N2的栅极连接，晶体管N1的源极和晶体管N2的源极均连接GND；本技术公开的一种电平转换器，实现了从固定电源域低压信号向高压高速时钟电源域的转换，使得正确的信号更加正确，错误的信号无法进入最终的控制信号，避免了整个电路的工作异常，特别是避免了功率管开关出错，导致高低端功率管贯通的风险。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于电平转换，具体涉及一种电平转换器。
技术介绍
1、最近几年电源ic的需求量暴增，尤其是国产替代的需要，国内多家公司都推出了功率芯片。而这些功率芯片中往往是包含开关管的，这些开关管中几乎都会涉及到高端管的设计，高端管会使用pmos或nmos，由于nmos的电子迁移率大于pmos的迁移率，使得相同导通电阻情况下，nmos的面积会更小，同样相同面积情况下，nmos的导通电阻会更小，实现的功率芯片的效率更高，所以大部分产品偏向于使用nmos管，但是nmos管开关时往往是source端为高压脉冲，drain端为输入电源，那么gate端需要产生比source更高的电压才能导通，所以普遍是gate端电压根据source电压来实现自举，当source电压为高，gate需要更高，使得nmos充分开启，当source为低时，gate也为低，使得nmos截止。
2、所以gate端需要一个高压高速时钟电源域。在此类电源域转换过程中，往往会遇到发出错误信号，导致功率开关进入不正常状态，轻则工作异常，重则高低端功率管贯通导致烧毁。
>3、因此，针对上述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电平转换器，其特征在于，包括电平转换主体电路和RS锁存电路，所述电平转换主体电路和所述RS锁存电路电性连接，所述电平转换主体电路包括晶体管P1-P6、晶体管N1-N8、三极管B1-B2以及寄生电容C1-C2，其中：
2.根据权利要求1所述的一种电平转换器，其特征在于，晶体管P1的栅极和漏极连接，晶体管P2的栅极和漏极连接。
3.根据权利要求2所述的一种电平转换器，其特征在于，寄生电容C1的另一端和寄生电容C2的另一端均连接GND。
4.根据权利要求3所述的一种电平转换器，其特征在于，晶体管N5的栅极和漏极连接，晶体管N7的栅极和漏极连接。...
【技术特征摘要】
1.一种电平转换器，其特征在于，包括电平转换主体电路和rs锁存电路，所述电平转换主体电路和所述rs锁存电路电性连接，所述电平转换主体电路包括晶体管p1-p6、晶体管n1-n8、三极管b1-b2以及寄生电容c1-c2，其中：
2.根据权利要求1所述的一种电平转换器，其特征在于，晶体管p1的栅极和漏极连接，晶体管p2的栅极和漏极连接。
【专利技术属性】
技术研发人员：卢炜超，沈林峰，史佳卉，潘晓斌，封姣姣，张焘，
申请(专利权)人：禾润电子科技嘉兴股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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