聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜及其制备方法和应用技术

本申请涉及高分子薄膜电容器技术领域，公开了一种聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：将聚偏二氟乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯进行熔融共混，切粒得到聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合粒料；将其与聚丙烯基体及相容剂进行熔融共混，切粒得到聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合料粒；再进行挤出流延、熔体拉伸、冷却收卷，得到初级复合薄膜；初级复合薄膜加热后进行固态拉伸，即得。本申请的制备方法工艺简单，生产成本低，易实现连续化生产；大幅减少了聚丙烯与聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯相的界面缺陷，提高了复合介电薄膜的击穿场强和介电常数。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及高分子薄膜电容器，具体涉及一种聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

1、薄膜电容器具有功率密度高、使用寿命长、充放电速率快等优点，在国防军事、输变电工程、现代电子设备等领域有着广泛的应用。目前，商用薄膜电容器中应用最广泛的介电材料为线性电介质材料，如聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等；线性电介质材料具有低介电损耗和高击穿场强，但其介电常数和储能密度低。而非线性电介质材料，如聚偏二氟乙烯，其介电常数和储能密度高，然而其铁电畴弛豫损耗和离子损耗高，难以满足薄膜电容器的使用要求。如何兼顾线性电介质和非线性电介质材料的介电性能优势，开发高储能、低损耗的高分子电介质材料已成为薄膜电容器领域的研究热点。

2、研究发现，非线性电介质聚偏二氟乙烯的三种极性晶体由于存在热力学稳定的自发极化，具有明显的铁电行为，引发较高的介电损耗。若将非线性电介质聚偏二氟乙烯与线性电介质聚甲基丙烯酸甲酯复合，不仅可以抑制聚偏二氟乙烯晶体的生成，从而降低介电损耗；而且聚偏二氟乙烯的非晶区偶极仍可在电场下充分极化，提高介电常数和储能密度。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合粒料中，聚偏二氟乙烯的含量为10～90wt％。

3.根据权利要求1所述的聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合料粒中，聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合粒料的含量为1～40wt％；相容剂的含量为0.5～15wt％。

4.根据权利要求1所述的聚丙烯/聚...

【技术特征摘要】

1.一种聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合粒料中，聚偏二氟乙烯的含量为10～90wt％。

3.根据权利要求1所述的聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合料粒中，聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合粒料的含量为1～40wt％；相容剂的含量为0.5～15wt％。

4.根据权利要求1所述的聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述熔融共混的温度为150～230℃。

5.根据权利要求1所述的聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述挤出流...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄华东，李德龙，刘春燕，李忠明，钟淦基，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：