半导体装置及制造其的方法制造方法及图纸

一种半导体装置可包括：衬底，其包括在第一方向上按次序布置的核区、单元块区和外围区；以及单元块区上的位线结构。位线结构可以包括：第一位线和第二位线，其在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此邻近；位线连接器，其将第一位线和第二位线电连接并且邻近于外围区；以及位线焊盘，其电连接至第一位线，并且邻近于核区。

【技术实现步骤摘要】

本公开整体涉及电子领域，具体地，涉及半导体装置和制造其的方法。

技术介绍

1、半导体装置由于其尺寸小、功能多和/或价格低正被视为电子工业中的重要元件。半导体装置可分类为用于存储数据的存储器装置、用于处理数据的逻辑装置和包括存储器和逻辑元件二者的混合装置。

2、由于最近对具有快速和/或低功耗的电子装置的需求不断增加，因此需要具有快速操作速度和/或低操作电压的半导体装置。因此，半导体装置的集成密度正在增加，并且已经进行了各种研究。

技术实现思路

1、本专利技术构思的示例实施例提供了一种具有增大的集成密度的半导体装置以及制造其的方法。

2、本专利技术构思的示例实施例提供了一种被配置为降低路由(布线)过程中的难度的半导体装置及其制造方法。

3、根据本专利技术构思的一些实施例，一种半导体装置可包括：衬底，其包括在第一方向上按次序布置的核区、单元块区和外围区；以及单元块区上的位线结构。位线结构可包括：第一位线和第二位线，其在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此邻近；位线连本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括电连接至所述位线焊盘的接触插塞，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括所述核区上的核电路，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述位线焊盘在所述第二方向上从所述位线连接器偏移。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述位线结构包括在所述第二方向上彼此间隔开的位线结构，并且

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述狭缝分离图案中的每一个在所述第一方向上从所述单元块区延伸至所述外围区上。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，还...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括电连接至所述位线焊盘的接触插塞，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括所述核区上的核电路，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述位线焊盘在所述第二方向上从所述位线连接器偏移。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述位线结构包括在所述第二方向上彼此间隔开的位线结构，并且

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述狭缝分离图案中的每一个在所述第一方向上从所述单元块区延伸至所述外围区上。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括焊盘分离图案，所述焊盘分离图案中的每一个在所述位线结构中的邻近的位线结构的相应的一对位线焊盘之间。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述焊盘分离图案中的每一个在所述第一方向上从所述核区延伸至所述单元块区上。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述焊盘分离图案在所述第二方向上从所述狭缝分离图案偏离。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述位线结构的所述位线...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑明勋，申东花，吕晟溱，柳镐仁，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：