【技术实现步骤摘要】
这里描述的本公开的示例实施方式涉及半导体存储器件，更具体地，涉及减少由于高电压布线和低电压布线之间的耦合导致的可靠性恶化的半导体存储器件。
技术介绍
1、半导体存储器件可以主要分类为易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器(例如，dram或sram)的读写速度快，但是当电源关闭时，存储在易失性存储器中的数据消失。相比之下，非易失性存储器即使当电源关闭时也可以保留数据。
2、非易失性存储器的代表性示例是闪速存储器。闪速存储器可以在一个存储单元中存储两个或更多个比特的多比特数据。取决于阈值电压分布，存储多比特数据的闪速存储器可以具有一个擦除状态和多个编程状态。
3、近来，随着信息通信器件变得多功能化，要求半导体存储器件具有更高的容量和更高的集成度。半导体存储器件可以包括用于在存储单元中存储数据或者从存储单元输出数据的页缓冲器。并且页缓冲器可以具有诸如晶体管的半导体器件。
4、根据存储器件集成度的提高和工艺技术的发展，由于对芯片尺寸减小的需求，可以减小页缓冲器中包括的半导体器件的尺寸。因此，也可以减小其中...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，包括:
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一高电压线沿所述第三方向面对每条所述第二高电压线。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一低电压线沿所述第三方向面对每条所述第二低电压线。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一下部线和所述第二下部线之间的间隙小于所述第一下部线之间的间隙和所述第二下部线之间的间隙。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一下部线进一步包括在所述第一高电压线和所述第一低电压线之间的第一虚设线。
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括:
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一高电压线沿所述第三方向面对每条所述第二高电压线。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一低电压线沿所述第三方向面对每条所述第二低电压线。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一下部线和所述第二下部线之间的间隙小于所述第一下部线之间的间隙和所述第二下部线之间的间隙。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一下部线进一步包括在所述第一高电压线和所述第一低电压线之间的第一虚设线。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中
7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述第一高电压线和所述第一低电压线当中彼此紧邻的第一高电压线和第一低电压线彼此分开，且所述第一虚设线中的至少一条插置在其间。
8.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述第一下部线和所述第二下部线之间的间隙小于所述第一下部线之间的间隙。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第二下部线进一步包括在所述第...
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