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公开了半导体存储器件，其包括：外围区，包括基板、在基板上的高电压晶体管、连接到高电压晶体管的第一下部线和连接到第一下部线的第二下部线；以及在外围区上的单元区。第一下部线和第二下部线沿平行于基板的上表面的第一方向延伸。第一下部线包括第一高电压...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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