根据本发明专利技术的固体摄像装置设置有：像素部，其包括形成在绝缘体的有效像素区域中的透明半导体、形成在所述透明半导体的与所述绝缘体相反的一侧的表面上的有机光电转换膜和形成在所述有机光电转换膜的与所述透明半导体相反的一侧的表面上的透明电极；连接部，所述连接部在所述有效像素区域周围的外围区域中布置在所述绝缘体上，同时连接至向所述透明电极供电的电路；以及配线，所述配线将所述透明电极和所述连接部彼此电连接，并且由透明电极材料形成。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及固体摄像装置。
技术介绍
1、专利文献1公开了一种摄像元件和固体摄像装置。摄像元件和固体摄像装置中的各者的像素部包括堆叠在半导体基板上的第一电极、堆叠在第一电极上的光电转换膜和堆叠在光电转换膜上的第二电极。在像素部周围的外围区域中，在半导体基板上设置有向像素部供电的连接部。
2、在像素部和外围区域上形成有保护膜。此外，在外围区域的保护膜上形成有遮光膜。遮光并且具有导电性的金属配线材料用于遮光膜。
3、引用文献列表
4、专利文献
5、专利文献1：日本待审查专利申请第2017-157816号公报
技术实现思路
1、在摄像元件和固体摄像装置中的各者中，金属配线材料用于遮光部，从而使遮光膜能够用作配线。例如，遮光膜可用作将像素部的第二电极和外围区域中的连接部彼此连接的配线。延伸配线以设置在保护膜上；配线的一端通过形成在保护膜中的连接孔连接至第二电极，并且配线的另一端通过连接孔连接至连接部。
2、然而，配线被连接至连接孔、保护膜的顶部并且返回到连本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种固体摄像装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，所述配线的厚度比所述透明电极的厚度薄。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，所述透明电极包括形成在所述有机光电转换膜上的第一透明电极和形成在所述第一透明电极上的与所述有机光转换膜相反的一侧的第二透明电极。
4.根据权利要求3所述的固体摄像装置，其中，所述配线形成在与所述透明电极的至少一部分相同的导电层中。
5.根据权利要求1所述的固体摄像装置，还包括侧壁绝缘体，其位于所述有机光电转换膜的侧表面上和所述透明半导体的侧表面上，其中
>6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种固体摄像装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，所述配线的厚度比所述透明电极的厚度薄。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，所述透明电极包括形成在所述有机光电转换膜上的第一透明电极和形成在所述第一透明电极上的与所述有机光转换膜相反的一侧的第二透明电极。
4.根据权利要求3所述的固体摄像装置，其中，所述配线形成在与所述透明电极的至少一部分相同的导电层中。
5.根据权利要求1所述的固体摄像装置，还包括侧壁绝缘体，其位于所述有机光电转换膜的侧表面上和所述透明半导体的侧表面上，其中
6.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
7.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
8.根据权利要求7所述的固体摄像装置，还包括侧壁绝缘体，其位于所述有机光电转换膜的侧表面上和所述透明半导体的侧表面上，其中
9.根据权利要求5所述的固体摄像装置，其中，所述侧壁绝缘体具有从所述透明电极朝向所述透明半导体延伸的并且从所述有效像素区域延伸至所述外围区域的倾斜壁表面。
10.根据权利要求9所述的固体摄像装置，其中，形成于所述倾斜壁表面与所述绝缘体的表面之间的位于所述有效像素区域一侧的倾斜角为20度以上且小于90度。
11.根据权利要求5所述的固体摄像装置，其中，所述侧壁绝缘体具有从...
【专利技术属性】
技术研发人员：饭岛匡，铃木凉介，八木岩，定荣正大，村田贤一，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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