一种电压正负斜率检测电路及其检测方法技术

本发明专利技术公开了一种电压正负斜率检测电路及其检测方法，包含晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电流源I1、电流源I2、反相器INV和与非门NAND2。本发明专利技术通过电容耦合将输入信号变化的斜率转化为电流信号，并将其与预设电流阈值比较（斜率检测阈值），进而得到逻辑输出，实现电压正负斜率检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种检测电路及其检测方法，特别是一种电压正负斜率检测电路及其检测方法，属于半导体集成电路。

技术介绍

1、随着集成电路的发展和进步，用户对系统的速度要求越来越高。对于模拟电路而言，快信号（即电压变化的斜率大）往往意为着更大的干扰，而在某些高精度高稳定性的应用场景中，这样的大干扰是需要避免的。而要消除这种干扰，我们首选需要能够判断电压信号是否为快信号。因此，有必要设计出一种电压正负斜率检测电路，用于检测超出预设速率的快信号。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种电压正负斜率检测电路及其检测方法，检测超出预设速率的快信号。

2、为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：

3、一种电压正负斜率检测电路，包含晶体管m1、晶体管m2、晶体管m3、晶体管m4、晶体管m5、晶体管m6、电容c1、电容c2、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电流源i1、电流源i2、反相器inv和与非门nand2；电流源i1的一端与晶体管m4的源极、电阻r3的一端和晶体管m本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电压正负斜率检测电路，其特征在于：包含晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电流源I1、电流源I2、反相器INV和与非门NAND2；电流源I1的一端与晶体管M4的源极、电阻R3的一端和晶体管M6的源极连接并连接电源VDD，电流源I1的另一端与晶体管M1的漏极、晶体管M1的栅极、晶体管M2的栅极和电阻R2的一端连接，晶体管M4的栅极与晶体管M4的漏极、电流源I2的一端、电阻R4的一端和晶体管M6的栅极连接，电阻R4的另一端与晶体管M5的栅极和电容C1的一端连接，电阻R3的另一端与晶体管M5...

【技术特征摘要】

1.一种电压正负斜率检测电路，其特征在于：包含晶体管m1、晶体管m2、晶体管m3、晶体管m4、晶体管m5、晶体管m6、电容c1、电容c2、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电流源i1、电流源i2、反相器inv和与非门nand2；电流源i1的一端与晶体管m4的源极、电阻r3的一端和晶体管m6的源极连接并连接电源vdd，电流源i1的另一端与晶体管m1的漏极、晶体管m1的栅极、晶体管m2的栅极和电阻r2的一端连接，晶体管m4的栅极与晶体管m4的漏极、电流源i2的一端、电阻r4的一端和晶体管m6的栅极连接，电阻r4的另一端与晶体管m5的栅极和电容c1的一端连接，电阻r3的另一端与晶体管m5的源极连接，晶体管m5的漏极与晶体管m2的漏极和反相器inv的输入端连接，电阻r2的另一端与电容c2的一端和晶体管m3的栅极连接，电容c1的另一端和电容c2的另一端连接输入信号in，晶体管m6的漏极与与非门nand2的第一输入端和晶体管m3的漏极连接，晶体管m3的源极与电阻r1一端连接，反相器inv的输出端与与非门nand2的第二输入端连接，与非门nand2的输出端产生输出信号out，晶体管m1的源极、电流源i2的另一端、晶体管m2的源极和电...

【专利技术属性】
技术研发人员：林潇垄，付美俊，金华群，赵雪，
申请(专利权)人：江苏帝奥微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：