一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，包括：检测输出电路和输出电路，所述检测输出电路包括电流源，施密特触发器，反相器，等比例电流镜电路和折叠式比较器电路；所述电流源用于提供偏置电流，所述等比例电流镜电路与折叠式比较器电路连接，所述折叠式比较器电路与施密特触发器的输入端连接，所述施密特触发器输出信号VP，并发送至反相器和输出电路，所述反相器将输出信号VN输入至输出电路和等比例电流镜电路。本发明专利技术节约了芯片成本，电路性能好，兼容常规器件，驱动电路工作电压可以很低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路，尤其涉及一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路。

技术介绍

1、当前，串口通信大都采用多点系统，在一根总线上接入多个收发器，在同一时刻的传输过程中发送和接受方已确定，此时总线上其他的收发器处于非工作状态。虽然单个收发器的电源电压范围基本相同，但由于各个收发器的接的高电源电压或低电源电压不同，造成总线上电源超过某个收发器的电压范围。例如：在通信标准rs-485中，总线上的电压范围从-7v到12v，而单个收发器电源电压范围只有5v，这要求收发器中的驱动电路具有耐高压的特性。为保证驱动电路能耐高压，传统的驱动电路采用高压厚栅氧器件，存在不兼容常规工艺、芯片成本高、延迟时间大和驱动能力弱等问题。

技术实现思路

1、专利技术目的：为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路。

2、技术方案： 本专利技术提供一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，包括：检测输出电路和输出电路，所述检测输出电路包括电流源，施密特触发器，反相器，等比例电流镜电路和折叠式比较器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，其特征在于，包括：检测输出电路和输出电路，所述检测输出电路包括电流源，施密特触发器，反相器，等比例电流镜电路和折叠式比较器电路；所述电流源用于提供偏置电流，所述等比例电流镜电路与折叠式比较器电路连接，所述折叠式比较器电路与施密特触发器的输入端连接，所述施密特触发器输出信号VP，并发送至反相器和输出电路，所述反相器将输出信号VN输入至输出电路和等比例电流镜电路；

2.根据权利要求1所述的一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，其特征在于，所述检测输出电路还包括外围电路，所述外围电路包括第一、第二NMOS管，第一，第二，第四PMOS管，第一～第...

【技术特征摘要】

1.一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，其特征在于，包括：检测输出电路和输出电路，所述检测输出电路包括电流源，施密特触发器，反相器，等比例电流镜电路和折叠式比较器电路；所述电流源用于提供偏置电流，所述等比例电流镜电路与折叠式比较器电路连接，所述折叠式比较器电路与施密特触发器的输入端连接，所述施密特触发器输出信号vp，并发送至反相器和输出电路，所述反相器将输出信号vn输入至输出电路和等比例电流镜电路；

2.根据权利要求1所述的一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，其特征在于，所述检测输出电路还包括外围电路，所述外围电路包括第一、第二nmos管，第一，第二，第四pmos管，第一～第四电阻以及第十高压薄栅氧nmos管；电流源连接第一nmos管的栅极和漏极、第二nmos管的栅极、折叠式比较器电路和等比例电流镜电路，所述第一、第二nmos管的源极均连接gnd；所述第一pmos管的源极和第二pmos管的源极均连接电压vcc，第一pmos管的栅极连接自身的漏极，第二pmos管的栅极以及第二nmos管的漏极，第二pmos管的漏极连接第四pmos管的源极以及折叠式比较器电路，第四pmos管的漏极连接折叠式比较器电路，第四pmos管的栅极连接vp；所述第十高压薄栅氧nmos管的栅极连接折叠式比较器电路和第十高压薄栅氧nmos管的漏极，源极连接gnd；所述第一电阻的一端连接vcc，另外一端标记为节点a，节点a连接折叠式比较器电路和第二电阻的一端，第二电阻的另外一端连接gnd, 所述第三电阻的一端连接vcc，另外一端连接第十高压薄栅氧nmos的漏极和第四电阻的一端，第四电阻的另外一端连接gnd。

3.根据权利要求2所述的一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，其特征在于，第一电阻和第三电阻的阻值相等，第二电阻和第四电阻的阻值相等，且第四电阻的阻值大于第三电阻的阻值。

4.根据权利要求2所述的一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，其特征在于，所述折叠式比较器电路包括：第三、第五～九poms管以及第七、第八nmos管，所述第三poms管的栅极连接节点a，源极与第五p...

【专利技术属性】
技术研发人员：张毓豪，王子轩，肖建，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：