CdTe薄膜电池曝光设备制造技术

一种CdTe薄膜电池曝光设备用于UV点光源发射的UV光线透过将要形成的P1线槽区域的光刻胶对CdTe薄膜电池从下往上曝光，CdTe薄膜电池曝光设备包括UV点光源、凸透镜以及光罩；UV点光源位于凸透镜的下方且位于凸透镜的焦点上；凸透镜用于将UV点光源发出的光整形为与CdTe薄膜电池垂直的从下往上发射的平行光以使平行光透过将要形成的P1线槽区域的光刻胶对CdTe薄膜电池从下往上曝光；光罩位于凸透镜的上方，光罩和凸透镜用于使设置有光刻胶的CdTe薄膜电池在上下方向上位于中间，光罩的面向凸透镜的内表面平行于CdTe薄膜电池且与平行光垂直；光罩的面向凸透镜的内表面为镜面反射的表面。由此，能够避免在CdTe薄膜表面的光刻胶上出现凸点的情况。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及薄膜电池领域，更具体地涉及一种cdte薄膜电池曝光设备。

技术介绍

1、在cdte薄膜电池的制备工艺中，光刻胶曝光是极其重要的一道工序，光刻胶曝光一方面是将光刻胶的特性发生改变，在显影后留下p1线槽的光刻胶，其余区域的光刻胶被清除掉，p1线槽内的光刻胶起到绝缘的作用；另一方面，光刻胶可填充cdte薄膜表面的孔隙(孔隙会造成短路点)，降低载流子的复合率，提升薄膜电池的转换效率。

2、但由于cdte薄膜电池的曝光是底部向顶部曝光的方式，如图1所示，存在透过p1线槽内的uv点光源1'发射的uv光线经过cdte薄膜电池曝光设备100'的光罩3'(通常为不锈钢制成)的内表面31'反射到cdte薄膜表面的光刻胶200，经显影后，在cdte薄膜表面出现凸点，后续制备znte:cu、mon、mo、al、cr等膜层时，因znte:cu和mon等膜层本身属于脆性材质，在凸点处会出现断裂的现象，增加肖特基势垒的程度，降低cdte薄膜电池的转换效率。

3、此外，尽管通过将光罩3'往上移动足够远的距离可降低这种反射，但是这不仅会造成cdte薄膜电池本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CdTe薄膜电池曝光设备，用于UV点光源发射的UV光线透过将要形成的P1线槽区域的光刻胶(200)对CdTe薄膜电池(300)从下往上曝光，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的CdTe薄膜电池曝光设备，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的CdTe薄膜电池曝光设备，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种cdte薄膜电池曝光设备，用于uv点光源发射的uv光线透过将要形成的p1线槽区域的光刻胶(200)对cdte薄膜电池(300)从下往上曝光，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振新，黄周师，何坤鹏，屈新成，
申请(专利权)人：江苏先导微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：