【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体工艺，特别是涉及一种基板处理方法、装置、计算机设备和存储介质。
技术介绍
1、在半导体湿法工艺中，需要将基板(例如晶圆)放置在单片机台中，向基板表面喷洒处理液，使基板表面发生化学反应或者去除基板表面附着的颗粒，并使反应副产物或者颗粒随废液流到基板的外部，该湿法工艺用湿法刻蚀或清洗以改善基板表面结构或清洁度。湿法工艺处理后的基板表面上残留有水分与药剂，需要及时地将基板表面上的水分与药剂处理掉。
2、传统技术中，通常采用的基板处理方法是先将清洗液喷射至基板表面上对基板表面清洗处理，然后采用氮气以摇摆的方式喷射至基板表面对基板表面进行干燥处理。然而，基板表面上仍然有颗粒残留，洁净度不高。
技术实现思路
1、基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种基板处理方法、装置、计算机设备和存储介质，它能够提高基板表面的洁净度。
2、其技术方案如下：一种基板处理方法，其特征在于，所述基板处理方法包括：
3、使喷液件对着所述基板表面的中心，将清洗液喷射到所述...
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，其特征在于，所述基板处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述喷液件到达所述基板表面边缘之前使所述喷气件对着所述基板表面的中心。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在将所述清洗液喷射到所述基板表面之前，所述基板处理方法还包括步骤：使所述基板按照第三转速自转，所述第三转速小于所述第一转速。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一转速为500r/min-1000r/min；所述第二转速为1000r/min以上；所述第三转速为100r/min-500r
<...【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其特征在于，所述基板处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述喷液件到达所述基板表面边缘之前使所述喷气件对着所述基板表面的中心。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在将所述清洗液喷射到所述基板表面之前，所述基板处理方法还包括步骤：使所述基板按照第三转速自转，所述第三转速小于所述第一转速。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一转速为500r/min-1000r/min；所述第二转速为1000r/min以上；所述第三转速为100r/min-500r/min。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，当所述喷液件对着所述基板表面的中心时，使所述喷液件对着所述基板表面中心的时长达到第一预设值。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一预设值为3s-5s。
7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，在使所述基板按照第二转速自转步骤结束后，所述的基板处理方法还包括步骤：
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，当所述喷气件对着所述基板表面的中心时，使所述喷气件对着所述基板表面中心的时长达到第二预设值。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，所述第二预设值为3s-5s。
10.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，在使所述基板按照第二转速自转步骤结束后，所述的基板处理方法还包括步骤：
11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在使所述基板按照第二转速自转步骤结束后，所述的基板处理方法还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：林宜逸，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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