结晶InZnO氧化物半导体、其形成方法、和包括结晶InZnO氧化物半导体的半导体器件技术

提供结晶InZnO氧化物半导体、其形成方法、和包括结晶InZnO氧化物半导体的半导体器件。结晶InZnO氧化物半导体包括包含In和Zn的氧化物，其中在电感耦合等离子体质谱法(ICP‑MS)分析中，In和Zn中的In的含量为约30原子％或更大且约75原子％或更小，并且在X射线衍射(XRD)分析中，所述结晶InZnO氧化物半导体具有在约32.3度和约33.3度之间的2θ处的显示结晶度的峰。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容涉及结晶inzno氧化物半导体、其形成方法、以及包括该结晶inzno氧化物半导体的半导体器件。

技术介绍

1、基于硅的存储器件或逻辑器件已经达到高集成度的极限，并且因此，由于需要几十或几纳米的沟道长度，需要减小关闭电流(截止电流，off-current)。此外，为了在导通状态(开通状态)和关闭状态之间清楚地区分，应改进亚阈值摆幅(ss)、开/关比等。氧化物半导体晶体管是具有上述所需特性(低的关闭电流、低的亚阈值摆幅和高的开/关比)的半导体器件。

2、氧化物半导体是具有约3.0ev或更大的宽带隙的透明半导体材料，并且已经应用于显示(器)驱动器件。最近，由于上述优异的特性，已经提出将氧化物半导体器件用于存储器件或逻辑器件的方法。

技术实现思路

1、提供结晶inzno氧化物半导体、其形成方法以及包括该结晶inzno氧化物半导体的半导体器件。

2、另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将从所述描述明晰，或者可通过所呈现的本公开内容的实施方式的实践来获悉。

3、根本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.结晶InZnO氧化物半导体，包括：

2.如权利要求1所述的结晶InZnO氧化物半导体，其中，

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7.形成结晶InZnO氧化物半导体的方法，所述方法包括：

8.如权利要求7所述的方法，其中，

9.如权利要求7所述的方法，其中，

10.如权利要求7所述的方...

【技术特征摘要】

1.结晶inzno氧化物半导体，包括：

2.如权利要求1所述的结晶inzno氧化物半导体，其中，

3.如权利要求1所述的结晶inzno氧化物半导体，其中，

4.如权利要求1所述的结晶inzno氧化物半导体，其中，

5.如权利要求1所述的结晶inzno氧化物半导体，其中，

6.如权利要求1所述的结晶inzno氧化物半导体，其中，

7.形成结晶inzno氧化物半导体的方法，所述方法包括：

8.如权利要求7所述的方法，其中，

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10.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：李光熙，朴镇成，金尚昱，金慧美，柳盛还，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：